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検索結果 31 件

Study of strain relaxation mechanisms in lattice-mismatched 3-5 heteroepitaxy

Study of strain relaxation mechanisms in lattice-mismatched 3-5 heteroepitaxy
紙博士論文
Takuo Sasaki [著][Takuo Sasaki][2010]<UT51-2010-H64>
国立国会図書館

放射光その場X線回折による窒化物半導体表面界面のリアルタイム構造解析

放射光その場X線回折による窒化物半導体表面界面のリアルタイム構造解析
紙文書・図像類
佐々木, 拓生, Takuo, Sasaki2021-11-05
全国の図書館

Real-time structural analysis of InGaAs/InAs/GaAs(111)A interfaces by in situ synchrotron X-ray reciprocal space mapping

Real-time structural analysis of InGaAs/InAs/GaAs(111)A interfaces by in situ synchrotron X-ray reciprocal space mapping
紙文書・図像類
佐々木, 拓生, 高橋, 正光, 佐々木 拓生, 高橋 正光2018-09-03
全国の図書館
  • 著者標目佐々木, 拓生 高橋, 正光 佐々木 拓生 高橋 正光

放射光その場X線回折によるIoT関連材料の結晶評価

放射光その場X線回折によるIoT関連材料の結晶評価
紙文書・図像類
佐々木, 拓生, 高橋, 正光, 佐々木 拓生, 高橋 正光2018-07-06
全国の図書館
  • 著者標目佐々木, 拓生 高橋, 正光 佐々木 拓生 高橋 正光

GaN表面上Ga吸着層の構造解析

GaN表面上Ga吸着層の構造解析
紙文書・図像類
佐々木, 拓生, 岩田, 卓也, 高橋, 正光, 佐々木 拓生, 岩田 卓也, 高橋 正光2018-09-18
全国の図書館
  • 著者標目佐々木, 拓生 岩田, 卓也 高橋, 正光 佐々木 拓生 岩田 卓也 高橋 正光

放射光その場X線回折を用いたIoT関連半導体材料の構造解析

放射光その場X線回折を用いたIoT関連半導体材料の構造解析
紙文書・図像類
佐々木, 拓生, 高橋, 正光, Sasaki, Takuo, Takahashi, Masamitsu2019-06-17
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MBE成長GaNナノワイヤにおけるイエロールミネッセンスの抑制

MBE成長GaNナノワイヤにおけるイエロールミネッセンスの抑制
紙文書・図像類
上杉, 智洋, 佐々木, 拓生, 高橋, 正光, 上杉 智洋, 佐々木 拓生, 高橋 正光2018-09-19
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  • 著者標目上杉, 智洋 佐々木, 拓生 高橋, 正光 上杉 智洋 佐々木 拓生 高橋 正光

窒化ガリウム結晶成長表面のCTR散乱測定

窒化ガリウム結晶成長表面のCTR散乱測定
紙文書・図像類
佐々木, 拓生, 高橋, 正光, 佐々木 拓生, 高橋 正光2017-07-13
全国の図書館
  • 著者標目佐々木, 拓生 高橋, 正光 佐々木 拓生 高橋 正光

Ga-bilayer/GaN表面の X線CTR散乱測定

Ga-bilayer/GaN表面の X線CTR散乱測定
紙文書・図像類
佐々木, 拓生, 高橋, 正光, 佐々木 拓生, 高橋 正光2017-09-07
全国の図書館
  • 著者標目佐々木, 拓生 高橋, 正光 佐々木 拓生 高橋 正光

N極性GaN上の液体Ga層のその場X線構造解析

N極性GaN上の液体Ga層のその場X線構造解析
紙文書・図像類
佐々木, 拓生, 高橋, 正光, Sasaki, Takuo, Takahashi, Masamitsu2019-03-11
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GaN表面上Ga吸着層の秩序構造

GaN表面上Ga吸着層の秩序構造
紙文書・図像類
佐々木, 拓生, 岩田, 卓也, 高橋, 正光, 佐々木 拓生, 岩田 卓也, 高橋 正光2018-03-18
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  • 著者標目佐々木, 拓生 岩田, 卓也 高橋, 正光 佐々木 拓生 岩田 卓也 高橋 正光

放射光その場X線回折によるInGaN/GaN多重量子井戸ナノワイヤの構造評価

放射光その場X線回折によるInGaN/GaN多重量子井戸ナノワイヤの構造評価
紙文書・図像類
杉谷, 寛弥, 佐々木, 拓生, 高橋, 正光, Sugitani, Kanya, Sasaki, Takuo, Takahashi, Masamitsu2019-11-20
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窒化物半導体の成長初期構造の放射光解析

窒化物半導体の成長初期構造の放射光解析
紙文書・図像類
高橋, 正光, 佐々木, 拓生, 高橋 正光, 佐々木 拓生2017-07-01
全国の図書館
  • 著者標目高橋, 正光 佐々木, 拓生 高橋 正光 佐々木 拓生

GaN表面のX線CTR散乱測定

GaN表面のX線CTR散乱測定
紙文書・図像類
佐々木, 拓生, 岩田, 卓也, 高橋, 正光, 佐々木 拓生, 岩田 卓也, 高橋 正光2018-01-10
全国の図書館
  • 著者標目佐々木, 拓生 岩田, 卓也 高橋, 正光 佐々木 拓生 岩田 卓也 高橋 正光

放射光その場X線回折によるInGaAs/InAs/GaAs(111)A界面のリアルタイム構造解析

放射光その場X線回折によるInGaAs/InAs/GaAs(111)A界面のリアルタイム構造解析
紙文書・図像類
佐々木, 拓生, 高橋, 正光, 佐々木 拓生, 高橋 正光2017-03-15
全国の図書館
  • 著者標目佐々木, 拓生 高橋, 正光 佐々木 拓生 高橋 正光

放射光X線による窒化物半導体薄膜成長のリアルタイム構造解析

放射光X線による窒化物半導体薄膜成長のリアルタイム構造解析
紙文書・図像類
佐々木, 拓生, 高橋, 正光, 佐々木 拓生, 高橋 正光2017-03-09
全国の図書館
  • 著者標目佐々木, 拓生 高橋, 正光 佐々木 拓生 高橋 正光

Influence of indium supply on Au-catalyzed InGaAs nanowire growth studied by in situ X-ray diffraction

Influence of indium supply on Au-catalyzed InGaAs nanowire growth studied by in situ X-ray diffraction
紙文書・図像類
佐々木, 拓生, 高橋, 正光, 佐々木 拓生, 高橋 正光2016-08-08
全国の図書館
  • 著者標目佐々木, 拓生 高橋, 正光 佐々木 拓生 高橋 正光

その場X線回折によるAu触媒InGaAsナノワイヤの成長過程検討

その場X線回折によるAu触媒InGaAsナノワイヤの成長過程検討
紙文書・図像類
佐々木, 拓生, 高橋, 正光, 佐々木 拓生, 高橋 正光2016-09-15
全国の図書館
  • 著者標目佐々木, 拓生 高橋, 正光 佐々木 拓生 高橋 正光

量子科学技術研究開発機構専用ビームライン

量子科学技術研究開発機構専用ビームライン
紙文書・図像類
片山, 芳則, 綿貫, 徹, 佐々木, 拓生, 齋藤, 寛之, 三井, 隆也, Yoshinori, Katayama, Tetsu, Watanuki, Takuo, Sasaki, Hiroyuki, Saito, Takaya, Mitsui2021-01-08
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In situ synchrotron X-ray reciprocal space mapping during InGaN/GaN heterostructure nanowire growth

In situ synchrotron X-ray reciprocal space mapping during InGaN/GaN heterostructure nanowire growth
紙文書・図像類
上杉, 智洋, 佐々木, 拓生, 杉谷, 寛弥, 高橋, 正光, Uesugi, Tomohiro, Sasaki, Takuo, Sugitani, Kanya, Takahashi, Masamitsu2019-05-20
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