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反応性エピタキシヤル成長によるCoSi2/Si(100)ヘテロ構造形成の研究
反応性エピタキシヤル成長によるCoSi2/Si(100)ヘテロ構造形成の研究
紙
図書
財満, 鎮明, 名古屋大学
1999-2001
<Y151-H11450010>
国立国会図書館
件名
CoSi2 エピタキシヤル成長 サリサイド技術
二段階成長法
反応機構 サーフアクタント効果 多層多核成長
シリコンゲルマニウム量子井戸構造を用いた赤外発光素子の開発
シリコンゲルマニウム量子井戸構造を用いた赤外発光素子の開発
紙
図書
安田幸夫, 名古屋大学
1995-1996
<Y151-H06555005>
国立国会図書館
件名
SiGe膜成長 不純物ドーピング技術 バンドスプリツト 無歪基板形成技術
二段階成長法
強誘電体薄膜のグレインバウンダリが電気特性に及ぼす影響の解明とメモリ素子への応用
強誘電体薄膜のグレインバウンダリが電気特性に及ぼす影響の解明とメモリ素子への応用
紙
図書
清水, 勝, 姫路工業大学
2000-2001
<Y151-H12450131>
国立国会図書館
件名
強誘電体PZT薄膜 グレインサイズの制御 グレインバウンダリ PbTiO3初期核 初期成長過程
二段階成長法
エピタキシヤル単結晶PZT薄膜 原子層ステツプ
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