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新しい光機能材料GeC/Si混晶のエピタキシャル成長技術とその光学特性の研究

新しい光機能材料GeC/Si混晶のエピタキシャル成長技術とその光学特性の研究
紙図書
布下正宏, 奈良先端科学技術大学院大学 [著][布下正宏]2006-2007<Y151-H18360010>
国立国会図書館
  • 件名分子線エピタキシー (MBE) / アークプラズマガン / 半導体ナノ結晶 / 発光デバイ...

GaN系半導体ヘテロ構造における表面界面の原子レベル評価と物性制御

GaN系半導体ヘテロ構造における表面界面の原子レベル評価と物性制御
紙図書
櫻井利夫, 東北大学 [著][櫻井利夫]2002-2005<Y151-H14102010>
国立国会図書館
  • 件名III-V族半導体 / 分子線エピタキシー (MBE) / 走査トンネル顕微鏡 (STM) / 高速電子線回折 (...

弗化物強誘電体のGaAs上への成長と2次元電子ガス制御への応用

弗化物強誘電体のGaAs上への成長と2次元電子ガス制御への応用
紙図書
徳光, 永輔, 東京工業大学1995-1996<Y151-H07455134>
国立国会図書館
  • 件名強誘電体 GaAs BaMgF4 高電子移動度トランジスタ (HEMT) 2次元電子ガス 分子線エピタキシー (MBE)

実空間トランスファを利用したシリコンベース量子構造による遠赤外光発生

実空間トランスファを利用したシリコンベース量子構造による遠赤外光発生
紙図書
深津晋, 東京大学 [著][深津晋]2000-2001<Y151-H12450005>
国立国会図書館
  • 件名...造 / シリコン系半導体 / 分子線エピタキシー (MBE) / 実空間トランスファ / 異常反射率 / 遠赤外光発生 ...

MBE法による3C-SiCの作成とそのミリ波デバイスへの応用

MBE法による3C-SiCの作成とそのミリ波デバイスへの応用
紙図書
金田, 重男, 長岡技術科学大学1985-1987<Y151-S60460118>
国立国会図書館
  • 件名分子線エピタキシー (MBE) SiC単結晶 結晶評価 マイクロ波 (ミリ波) 半導体デバ...

新しい光機能材料GeC/Si混晶のエピタキシャル成長技術とその光学特性の研究 : 平成18年度-19年度研究成果報告書

新しい光機能材料GeC/Si混晶のエピタキシャル成長技術とその光学特性の研究 : 平成18年度-19年度研究成果報告書
デジタルその他
布下, 正宏奈良先端科学技術大学院大学2008-03-31
インターネットで読める全国の図書館

新しい光機能材料GeC/Si混晶のエピタキシャル成長技術とその光学特性の研究 : 平成19年度実績報告書

新しい光機能材料GeC/Si混晶のエピタキシャル成長技術とその光学特性の研究 : 平成19年度実績報告書
デジタルその他
布下, 正宏奈良先端科学技術大学院大学2008
インターネットで読める全国の図書館

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