本文に飛ぶ

年 〜
年

検索結果 11 件

「超音速原料ビーム技術」と「原子層成長技術」を用いる異種材料接合技術の研究

「超音速原料ビーム技術」と「原子層成長技術」を用いる異種材料接合技術の研究
紙図書
尾関雅志, 宮崎大学 [著][尾関雅志]2002-2005<Y151-H14350012>
国立国会図書館
  • 件名ヘテロ接合 / 超音速分子ビーム / 原子層エピタキシー / 界面 / 歪エネルギー / 自動停止機構 / GaAs...

シリコン系人工結晶の作製とその物性評価に関する研究

シリコン系人工結晶の作製とその物性評価に関する研究
紙図書
松村, 正清, 東京工業大学1995-1997<Y151-H07405001>
国立国会図書館
  • 件名原子層エピタキシー Si/Ge人工結晶 ヘテロ接合 AES シリコン ゲルマニ...

強誘電体/半導体ハイブリツド格子界面の作成と評価

強誘電体/半導体ハイブリツド格子界面の作成と評価
紙図書
鶴見, 敬章, 東京工業大学1996-1997<Y151-H08455295>
国立国会図書館
  • 件名原子層エピタキシー 強誘電体 人工変調構造 チタン酸バリウム チタン酸ストロン...

原子層エピタキシーを利用した二硫化銅ガリウムへの広濃度範囲亜鉛添加とその役割解明

原子層エピタキシーを利用した二硫化銅ガリウムへの広濃度範囲亜鉛添加とその役割解明
紙図書
飯田, 誠之, 長岡技術科学大学1996-1997<Y151-H08650007>
国立国会図書館
  • 件名原子層エピタキシー 原料交互供給 二硫化銅ガリウム 亜鉛添加 気相エピタキシー...

シリコン/ゲルマニウム系半導体のサブ原子層単位成長デイジタルエピタキシー

シリコン/ゲルマニウム系半導体のサブ原子層単位成長デイジタルエピタキシー
紙図書
須田, 良幸, 東京農工大学1996-1997<Y151-H08650369>
国立国会図書館
  • 件名原子層エピタキシー エピタキシー シリコン 自己停止 レーザー励起 マイグレー...

超薄膜超微細構造デバイスに関する研究

超薄膜超微細構造デバイスに関する研究
紙図書
小田, 俊理, 東京工業大学1998-1999<Y151-H10044138>
国立国会図書館
  • 件名超高速デバイス 超伝導デバイス 極微細加工プロセス 電子ビーム露光技術 超薄膜結晶成長 量子効果デバイス 原子層エピタキシー 薄膜トランジスタ

超薄膜超微細構造デバイスに関する研究

超薄膜超微細構造デバイスに関する研究
紙図書
小田, 俊理, 東京工業大学1996-1997<Y151-H08044134>
国立国会図書館
  • 件名超高速デバイス 超伝導デバイス 極微細加工プロセス 電子ビーム露光技術 超薄膜結晶成長 量子効果デバイス 原子層エピタキシー 薄膜トランジスタ

レーザ光励起表面反応過程のミクロ解析と原子層エピタキシーへの応用

レーザ光励起表面反応過程のミクロ解析と原子層エピタキシーへの応用
紙図書
松波, 弘之, 京都大学1994-1995<Y151-H06452111>
国立国会図書館
  • 件名有機金属分子線エピタキシー 光励起反応 表面反応 光励起原子層エピタキシー その場観察 反射高速電子回折法 ガリウムリン 飽和吸着

光励起原子層エピタキシーによる(3-5)-(2-6)系超格子の作製とその物性制御

光励起原子層エピタキシーによる(3-5)-(2-6)系超格子の作製とその物性制御
紙図書
吉川, 明彦, 千葉大学1989-1991<Y151-H01460134>
国立国会図書館
  • 件名超格子 (III V) (II VI) 超格子 光励起CVD 原子層エピタキシー 有機金属分子線エピキシー 化合物半導体 GaAs ZnSe

有機金属気相成長法によるワイドギヤツプ化合物半導体の原子層エピタキシーの研究

有機金属気相成長法によるワイドギヤツプ化合物半導体の原子層エピタキシーの研究
紙図書
尾鍋, 研太郎, 東京大学1989-1991<Y151-H01460071>
国立国会図書館
  • 件名有機金属気相成長法 ワイドギヤツプ化合物半導体 原子層エピタキシー 窒化ガリウム ガリウム砒素燐 結晶構造変換 可視光発光材料

InGaAs/GaAs歪超格子の原子層エピタキシーによる成長 : 成長機構の研究

InGaAs/GaAs歪超格子の原子層エピタキシーによる成長 : 成長機構の研究
デジタルその他
原口, 智宏
全国の図書館
  • 件名原子層エピタキシー(ALE), セルフリミティング, 異種材料へテロ成長, 超...

検索結果は以上です。

RSS