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Qualitative description of the concentration gradient partial melting method and application to In(x)Ga(1-x)As
Qualitative description of the concentration gradient partial melting method and application to In(x)Ga(1-x)As
デジタル
文書・図像類
中村, 裕彦, 加藤, 浩和, 木下, 恭一, 依田, 真一, Nakamura, Hirohiko, Kato, Hirokazu, Kinoshita, Kyoichi, Yoda, Shinichi
宇宙開発事業団
2000-09-29
NASDA Technical Memorandum
p.15-28
全国の図書館
件名
...In(x)Ga(1-x)As
固液反応
熱力学 微小重力 多成分ゾーン溶融法 混合結晶 定量的推定...
一般注記
濃度勾配部分溶解(CGPM)法で起こると期待される
固液反応
を熱力学に基づいて定性的に調べた。得られた知見を元に、CGP...
Annual report of the semiconductor team in NASDA Space Utilization Research Program 1999: Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)-growth of homogeneous crystals
Annual report of the semiconductor team in NASDA Space Utilization Research Program 1999: Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)-growth of homogeneous crystals
デジタル
文書・図像類
宇宙開発事業団, Natl. Space Development Agency of Japan
宇宙開発事業団
2000-09-29
NASDA Technical Memorandum
p.1-86
全国の図書館
件名
...In(x)Ga(1-x)As
固液反応
多成分ゾーン溶融法 混合結晶 InAs-GaAs バイナリ...
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