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シリコンナノエレクトロニクスの新展開に関する総括的研究

シリコンナノエレクトロニクスの新展開に関する総括的研究
紙図書
財満鎭明, 名古屋大学 [著][財満鎭明]2006-2009<Y151-TR458-001>
国立国会図書館
  • 件名シリコンULSI / MOSFET / スケーリング則 / ポストスケーリング技術 / ナノCMOS / ナノデバイスインテグリティ / 特性ばらつき

量子効果を積極利用した薄膜SOI MOSFETの性能向上とばらつき低減の研究

量子効果を積極利用した薄膜SOI MOSFETの性能向上とばらつき低減の研究
紙図書
平本, 俊郎, 東京大学1998-2000<Y151-H10555117>
国立国会図書館
  • 件名SOI MOSFET 量子効果 特性ばらつき 有限要素法 しきい値電圧 量子閉じ込め スケーリング

リソグラフイ限界を超えた制御性の良いシリコンナノデバイスの作製に関する研究

リソグラフイ限界を超えた制御性の良いシリコンナノデバイスの作製に関する研究
紙図書
平本, 俊郎, 東京大学1998-1999<Y151-H10450112>
国立国会図書館
  • 件名MOSFET ナノデバイス 特性ばらつき 単一電子 量子効果 異方性エツチング 自己形成 SOI

極微細半導体素子のしきい値電圧ばらつき解析のための離散不純物モデルの構築

極微細半導体素子のしきい値電圧ばらつき解析のための離散不純物モデルの構築
紙図書
佐野伸行, 筑波大学 [著][佐野伸行]2002-2003<Y151-H14550315>
国立国会図書館
  • 件名不純物ゆらぎ / MOSFET / モンテカルロ法 / ドリフト拡散法 / 半導体デバイス / 特性ばらつき / デバイスシミュレーション

サブ0.1ミクロン薄膜SOI CMOS LSIデバイスの揺らぎに関する研究

サブ0.1ミクロン薄膜SOI CMOS LSIデバイスの揺らぎに関する研究
紙図書
平本, 俊郎, 東京大学1995-1997<Y151-H07555109>
国立国会図書館
  • 件名薄膜SOI MOSFET 特性ばらつき しきい値電圧 サブ0.1ミクロンMOSFET 完全空乏型S...

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