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ファセット制御技術を用いたAlGaNのエピタキシャル成長
ファセット制御技術を用いたAlGaNのエピタキシャル成長
紙
図書
三宅秀人, 三重大学 [著]
[三宅秀人]
2006-2007
<Y151-H18560010>
国立国会図書館
件名
GaN / AlGaN / ファセット /
貫通転位
/ TEM観察
InN、GaNおよびその混晶によるヘテロ構造の作製とHFETへの応用に関する研究
InN、GaNおよびその混晶によるヘテロ構造の作製とHFETへの応用に関する研究
紙
図書
名西[ヤス]之, 立命館大学 [著]
[名西[ヤス]之]
2001-2004
<Y151-H13450131>
国立国会図書館
件名
InN / RF-MBE /
貫通転位
/ バンドギャツプ / 極性 / Si基板 / AlNバッ...
3族窒化物半導体気相成長における応力制御による転位低減とその場観察法の確立
3族窒化物半導体気相成長における応力制御による転位低減とその場観察法の確立
紙
図書
天野, 浩, 名城大学
1999-2000
<Y151-H11450131>
国立国会図書館
件名
III族窒化物半導体
貫通転位
転位応力 有機金属化合物気相成長法 透過電子顕微鏡 鏡像転...
選択横方向成長を用いた低転位厚膜アルファ酸化ガリウムの成長に関する研究
選択横方向成長を用いた低転位厚膜アルファ酸化ガリウムの成長に関する研究
デジタル
博士論文
河原, 克明
Kyoto University
2021-03-23
インターネットで読める
全国の図書館
件名
α-Ga2O3 選択横方向成長 二重選択横方向成長
貫通転位
エッチング
高Al組成AlGANのエピタキシャル成長と欠陥制御技術
高Al組成AlGANのエピタキシャル成長と欠陥制御技術
デジタル
文書・図像類
平松, 和政, 三宅, 秀人, 元垣内, 敦司, 宮川, 鈴衣奈, 馬, ベイ, 劉, 玉懐, 黎, 大兵, 呉, 潔君, 胡, 衛国
三重大学
2011-04-22
全国の図書館
件名
窒化物半導体 エピタキシャル成長
貫通転位
密度 クラック 反り 無極性 紫外線光源 電子線励起
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