村田純教, 名古屋大学 [著][村田純教]2005-2007<Y151-H17360337>
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- 件名組織自由エネルギー / フェライト鋼 / 耐熱鋼 / マルテンサイト / 転位密度
高木節雄, 九州大学 [著][高木節雄]2003-2005<Y151-H15206077>
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- 件名超細粒 / メカニカルミリング / 転位密度 / 機械的性質 / Hall-Petch則 / 加工硬化 ...
福家, 俊郎, 静岡大学2000-2001<Y151-H12650308>
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- 件名化合物半導体 窒化物 選択成長 有機金属気相成長法 転位密度 高品位化
宮崎則幸, 京都大学 [著][宮崎則幸]2003-2005<Y151-H15360058>
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- 件名有限要素法 / 単結晶 / 転位密度 / 結晶異方性 / 単結晶育成 / インゴットアニール /...
宮崎, 則幸, 九州大学1999-2001<Y151-H11555035>
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- 件名機能性単結晶 割れ 転位 有限要素法 伝熱解析 熱応力解析 転位密度評価 可視化
中牟田義博, 九州大学 [著][中牟田義博]2004-2006<Y151-H16540440>
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- 件名カンラン石 / 格子歪み / 格子欠陥 / 転位密度 / ガンドルフィカメラ / 集束イオンビーム法 / 衝撃作...
中野, 智九州大学応用力学研究所2020-07九州大学応用力学研究所技術室 技術室報告2p.7-12
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西永, 頌, 東京大学1998-1999<Y151-H10044131>
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- 件名マイクログラビテイ GaSb ブリツジマン成長 無歪成長 X線トポグラフ 転位密度 マランゴニ対流 不純物分布
樋口, 幹雄, 北海道大学1997-1998<Y151-H09650917>
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- 件名集光式浮遊帯溶融法 酸化物 フアイバー結晶 レーザー材料 バナジン酸イツトリウム 小傾角粒界 転位密度
宮崎, 則幸, 九州大学1996-1997<Y151-H08455064>
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- 件名シリコン単結晶 CZ法 転位密度 熱応力 分子動力学法 有限要素法 Haasen-Sumin...
宮崎, 則幸, 九州大学1994-1995<Y151-H06452152>
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- 件名電子/光学デバイス 単結晶 CZ法 転位密度 熱応力 有限要素法 Haasen-Suminoモデル 結晶...
門前, 亮一, Monzen, Ryoichi2018-05-28平成29(2017)年度 科学研究費補助金 基盤研究(C) 研究成果報告書 = 2017 Fiscal Year Final Research Report2015-04-01 - 2018-03-31p.6p.-
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- 件名Cu-Ni-Sn合金 高強度 耐応力緩和特性 導電性 転位密度 変形双晶 析出物
米津, 宏雄, 豊橋技術科学大学1996-1998<Y151-H07555014>
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- 件名超並列光接続 三次元積層集積回路 歪短周期超格子 低転位密度化 Si基板上のGaAs選択成長 GaP層の選択成長 原子状...
宮嶋, 暘司, Miyajima, Yoji2021-12-27令和2(2020)年度 科学研究費補助金 新学術領域研究(研究領域提案型) 研究実績の概要 = 2020 Research Project Summary2019-04-01 – 2021-03-31p.3p.-
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- 件名ハイエントロピー合金 CrMnFeCoNi合金 TiZrNbHfTa合金 電気抵抗率 短範囲秩序 電気特性 スパッタ 強度 組織 材料組織 転位密度 力学的性質 加工熱処理
- 一般注記...加工熱処理を施し,格子欠陥量(転位密度・粒界密度)の変化に伴う電気特......析より,塑性加工の進展に伴って転位密度の増加が起こっていることを確認......織変化,つまり,結晶粒微細化と転位密度の増加による,結晶粒微細化強化と加工硬化によって説明が可能で...
門前, 亮一, Monzen, Ryoichi金沢大学理工研究域機械工学系2014-06-09平成25(2013)年度 科学研究費補助金 基盤研究(C) 研究成果報告書 = 2013 Fiscal Year Final Research Report2011-2013p.5p.-
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- 件名Cu-Ni-P系合金 ナノ組織制御 極低温圧延 変形双晶 転位密度 高導電性合金
- 一般注記...,さらに強度が増加した.これは転位密度と変形双晶密度がより高いことに起因する. The influ...
小林, 信之, 富山大学1985-1986<Y151-S60580042>
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- 件名結晶成長 LEC法 引上法 温度分布 熱応力 転位密度 対流 マランゴニ対流
平松, 和政, 三宅, 秀人, 元垣内, 敦司, 宮川, 鈴衣奈, 馬, ベイ, 劉, 玉懐, 黎, 大兵, 呉, 潔君, 胡, 衛国三重大学2011-04-22
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- 件名窒化物半導体 エピタキシャル成長 貫通転位密度 クラック 反り 無極性 紫外線光源 電子線励起
山田, 智秋, 木下, 恭一, Yamada, Tomoaki, Kinoshita, Kyoichi宇宙開発事業団1994-10-20宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.431-467
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- 件名...介在物 組成均一性 モル分率 転位密度 電気伝導度 narrow band gap semicon...
- 一般注記...6と一定な領域が得られた。また転位密度は地上育成の平均3x10{6}......いくつかの小さな結晶においては転位密度は10{4}/平方センチメートル台で、地上育成の場合よりも約...
中谷, 功, 高橋, 總, 小澤, 清, 西田, 勲夫, Nakatani, Isao, Takahashi, Satoshi, Ozawa, Kiyoshi, Nishida, Isao宇宙開発事業団1994-10-20宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.499-506
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- 件名...ンジウム 酸化皮膜 自由表面 転位密度 チョクラルスキー法 キャリア濃度 熱対流 表面張力誘起流 ...
- 一般注記...進んでいった。得られた単結晶の転位密度は8.2x10{2}/平方セン......ー法で作成したInSb単結晶の転位密度が2.2x10{(3}/平方センチメートルであるのに比べて、...