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Homogeneous In(0.3)Ga(0.7)As crystal growth by the graded solute concentration method

Homogeneous In(0.3)Ga(0.7)As crystal growth by the graded solute concentration method
デジタル規格・テクニカルリポート類
木下, 恭一, 加藤, 浩和, 松本, 聡, 岩井, 正行, 鶴, 哲也, 村松, 祐治, 依田, 真一, Kinoshita, Kyoichi, Kato, Hirokazu, Matsumoto, Satoshi, Iwai, Masayuki, Tsuru, Tetsuya, Muramatsu, Yuji, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.11-14
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  • 件名...速度 グレーデッド溶質濃縮法 部分溶融法 濃度勾配部分溶融法 スペースシャトル 国際宇宙ステーション 結晶成長 一様混合...
  • 一般注記...を開発したが、さらにこの方法を部分溶融法の考えを採用することで発展させ、「濃度勾配部分溶融法」と命名した。スペースシャトルや国際宇宙ステーション(ISS...

Annual report of the semiconductor team in NASDA Space Utilization Research Program 1999: Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)-growth of homogeneous crystals

Annual report of the semiconductor team in NASDA Space Utilization Research Program 1999: Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)-growth of homogeneous crystals
デジタル規格・テクニカルリポート類
宇宙開発事業団, Natl. Space Development Agency of Japan宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.1-86
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  • 件名...重力 グレーデッド溶質濃縮法 部分溶融法 濃度勾配部分溶融法 スペースシャトル 国際宇宙ステーション In(x)Ga(1...
  • 一般注記....7)As結晶の成長、濃度勾配部分溶融法とそのIn(x)Ga(1-x)Asへの応用、微小重力条件での...

Qualitative description of the concentration gradient partial melting method and application to In(x)Ga(1-x)As

Qualitative description of the concentration gradient partial melting method and application to In(x)Ga(1-x)As
デジタル規格・テクニカルリポート類
中村, 裕彦, 加藤, 浩和, 木下, 恭一, 依田, 真一, Nakamura, Hirohiko, Kato, Hirokazu, Kinoshita, Kyoichi, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.15-28
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  • 件名濃度勾配部分溶融法 CGPM法 In(x)Ga(1-x)As 固液反応 熱力学...
  • 並列タイトル等（連結）濃度勾配部分溶融法とそのIn(x)Ga(1-x)Asへの応用についての定性的記...
  • 並列タイトル等濃度勾配部分溶融法とそのIn(x)Ga(1-x)Asへの応用についての定性的記...

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