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単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
紙
図書
近藤博基, 安田幸夫, 名古屋大学 [著]
[近藤博基]
2001-2004
<Y151-H13305005>
国立国会図書館
件名
電流検出型原子間力顕微鏡
/ MOSキャパシタ / ゲートSiO_2膜 / ストレス...
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
デジタル
その他
近藤, 博基, 安田, 幸夫, 財満, 鎭明, 酒井, 朗, 池田, 浩也
2005-04
インターネットで読める
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要約等
走査型トンネル顕微鏡(STM)および
電流検出型原子間力顕微鏡
(C-AFM)を用いて、極薄シリコン酸化膜(SiO_2膜)な...
件名
... 電気伝導特性 電流スポット
電流検出型原子間力顕微鏡
電荷トラップ 高誘電率ゲート絶縁膜 高誘電率材料
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