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- 要約等パワー半導体デバイスの種類と基本特性、基本構造などがどのようなメカニズムで動作し...
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- 目次・記事目次 第１章 パワーエレクトロニクスならびにパワー半導体デバイス １.１ はじめに １.２ インバータ回路の種類 １.３ パワー半導体デバイスの役割とその課題 １.４ パワー半導体デバイス開発の位置づけ １.５ パワー半導体デバイスの代表的な特性項目 １.６ パワー半導体デバイスの種類 １.７ 現代のパワー半導体デバイスの主役：MOSFETとIGBT 第２章 シリコンパワー半導体デバイスの現状ならびに進展 ２.１ 開......ピードが一向に衰えないシリコンパワー半導体デバイス ２.２ シリコンMOSFET......一手 参考文献 第３章 SiCパワー半導体デバイスの進展 ３.１ はじめに ３.２ SiCパワー半導体デバイス優位点のおさらい ３.３ SiC MOSFETかSiC IG...
- 要約等パワー半導体デバイスにおいて圧倒的なシェアを占めて...... SiC） に代表される次世代パワー半導体デバイスが，製品としての存在感を増して......利用実現に欠かすことのできないパワー半導体デバイス，特に今後その需要の拡大が大い......く解説されている。 第1章は，パワー半導体デバイスの種類，構造，そして新しいパワー半導体デバイスを開発する位置づけについて説明されている。また，パワー半導体デバイスがもっとも使われているパワーエ......の動作についての解説，そこからパワー半導体デバイスの役割について書かれている。そして第2章では，現在のパワー半導体デバイスの主役であるシリコンMOSFE......おり、この最初の二つの章には，パワー半導体デバイス構造，動作，並びにその適用回路動作について解説されている箇所...
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- 目次・記事....2 MOS型デバイス 3. パワー半導体デバイス 3.1 縦型パワーMOS素子......S素子の使い分け 4. 化合物パワー半導体デバイス 4.1 SiCデバイス 4.1.1 SiCショットキー障壁...
デジタル博士論文障害者向け資料あり
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- 要約等...N（窒化ガリウム）などの次世代パワー半導体デバイスが注目されている。これらのデバイスは，Siデバイスと比較して...
- 件名次世代パワー半導体デバイス 寄生成分 配線インダクタンス 浮遊容量 高周波スイッチング...
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デジタル博士論文障害者向け資料あり
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- 要約等...ドギャップ半導体を用いた次世代パワー半導体デバイスは、従来のSiのIGBTと比較し約10倍の速度でスイッチング...
- 一般注記...ドギャップ半導体を用いた次世代パワー半導体デバイスは、従来のSiのIGBTと比較し約10倍の速度でスイッチング...
紙デジタル博士論文障害者向け資料あり
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- 目次・記事...構成 参考文献 第2章 高性能パワー半導体デバイスと応用上の技術課題 2.1 緒......ードの性能と技術課題 2.6 パワー半導体デバイスの応用上の技術課題 2.7 結......ソフトスイッチング応用におけるパワー半導体デバイスの評価 6.1 緒言 6.2 ソフトスイッチング応用でのパワー半導体デバイス動作解析 6.3 電圧共振形インバータ応用でのパワー半導体デバイスの動作解析と評価 6.4 三相電圧形ソフトスイッチングインバ...
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