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目次
24(3) 1997.07
- LEC法により育成されたアンドープGaAs結晶の転位および微小欠陥
p.254~260
- n型とp型黄鉄鉱の溶解メカニズムの相違
p.261~269
- Si基板上への3C-SiCヘテロエピタキシャル成長
p.270~286
- 酸化インジウムホイスカーの形態と生成条件および昇華との関係
p.287~291
- 鉱物結晶の規則的共生からみたエピタキシー
p.292~301
24(2) 1997.06
- 第28回結晶成長国内会議(NCCG-28)
p.81~249
24(5) 1997.12
- 融液からのシリコン結晶成長過程における不純物原子の挙動:炭素原子
p.412~417
- 超微粒子の育成から機能構築にむけての展開
p.418~427
- 小特集:バルク成長分科会特集--シリコン結晶の最近の話題から
p.428~454
24(4) 1997.09
- 熱交換法による大口径Ge単結晶の育成
p.340~345
- 青色レーザ素子用基板材料ZnSeのバルク成長と評価
p.346~351
- カルコパイライト型半導体CuAlSe2のCVD成長と諸性質
p.352~359
- シリコン単結晶の成長中における点欠陥の拡散挙動
p.360~368
- シリコン融液の表面張力に及ぼす酸素と温度の影響
p.369~378