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Table of Contents
24(3) 1997.07
- LEC法により育成されたアンドープGaAs結晶の転位および微小欠陥
p.254～260
- n型とp型黄鉄鉱の溶解メカニズムの相違
p.261～269
- Si基板上への3C-SiCヘテロエピタキシャル成長
p.270～286
- 酸化インジウムホイスカーの形態と生成条件および昇華との関係
p.287～291
- 鉱物結晶の規則的共生からみたエピタキシー
p.292～301
24(2) 1997.06
- 第28回結晶成長国内会議(NCCG-28)
p.81～249
24(5) 1997.12
- 融液からのシリコン結晶成長過程における不純物原子の挙動:炭素原子
p.412～417
- 超微粒子の育成から機能構築にむけての展開
p.418～427
- 小特集:バルク成長分科会特集--シリコン結晶の最近の話題から
p.428～454
24(4) 1997.09
- 熱交換法による大口径Ge単結晶の育成
p.340～345
- 青色レーザ素子用基板材料ZnSeのバルク成長と評価
p.346～351
- カルコパイライト型半導体CuAlSe2のCVD成長と諸性質
p.352～359
- シリコン単結晶の成長中における点欠陥の拡散挙動
p.360～368
- シリコン融液の表面張力に及ぼす酸素と温度の影響
p.369～378
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 雑誌
- ISSN
- 0385-6275
- ISSN-L
- 0385-6275
- Title
- Title Transcription
- ニホン ケッショウ セイチョウ ガッカイシ
- Volume
- 24(1)-24(5) 19970000-19970000
- Author Heading
- 日本結晶成長学会 ニホン ケッショウ セイチョウ ガッカイ ( 00396133 )Authorities
- Publication, Distribution, etc.
- Publication Date
- 1997
- Publication Date (W3CDTF)
- 1997