前川, 透学校法人東洋大学産官学連携推進センター2019-08-29東洋大学研究シーズ集2019-2020p.36-36
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前川, 透学校法人東洋大学産官学連携推進センター2019-08-29東洋大学研究シーズ集2019-2020p.37-37
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前川, 透学校法人東洋大学産官学連携推進センター2019-08-29東洋大学研究シーズ集2019-2020p.35-35
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ハリー・クロトー さく, デイヴィッド・クロトー え, まえかわとおる やく冨山房インターナショナル2010.12<Y11-N11-J55>
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- 著者標目Kroto, H. W, 1939- Kroto, David 前川, 透
前川, 透学校法人東洋大学産官学連携センター2017-08-31東洋大学研究シーズ集p.39-39
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前川, 透学校法人東洋大学産官学連携センター2017-08-31東洋大学研究シーズ集p.38-38
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前川透, 東洋大学 [著][前川透]2001-2003<Y151-H13450089>
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前川, 透, 東洋大学1999-2001<Y151-H11555061>
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前川透 [著]<UT51-98-G208>
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研究代表者前川透[前川透], [2004.3]2004
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前川, 透, 杉木, 喜洋, 松本, 聡, Maekawa, Toru, Sugiki, Yoshihiro, Matsumoto, Satoshi宇宙開発事業団2002-12-27宇宙開発事業団技術報告: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2001): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs)-Growth of Homogeneous Crystals = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2001): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (I[lc]nG[lc]aA[lc]s)-Growth of Homogeneous Crystalsp.19-28
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- 著者標目前川, 透 杉木, 喜洋 松本, 聡 Maekawa, Toru Su...
前川, 透, 福田, 尚宏, 松本, 聡, 足立, 聡, 依田, 真一, 木下, 恭一, Maekawa, Toru, Fukuda, Takahiro, Matsumoto, Satoshi, Adachi, Satoshi, Yoda, Shinichi, Kinoshita, Kyoichi宇宙開発事業団2003-08-29宇宙開発事業団技術報告: 化合物半導体研究アニュアルレポート2002:混晶半導体(InGaAs)の結晶育成に及ぼす微小重力の効果に関する研究.均一組成結晶の育成 = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystalsp.27-37
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- 著者標目前川, 透 福田, 尚宏 松本, 聡 足立, 聡 依田, 真一 木下,...
平岡, 良章, 池上, 圭介, 前川, 透, 松本, 聡, Hiraoka, Yoshiaki, Ikegami, Keisuke, Maekawa, Toru, Matsumoto, Satoshi宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.29-41
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- 著者標目平岡, 良章 池上, 圭介 前川, 透 松本, 聡 Hiraoka, Yoshiaki Ikega...
前川透 [著]<UT51-58-G169>
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前川, 透, 池上, 圭介, 田所, 丈季, 杉木, 喜洋, 松本, 聡, Maekawa, Toru, Ikegami, Keisuke, Tadokoro, Tomoki, Sugiki, Yoshihiro, Matsumoto, Satoshi宇宙開発事業団2001-12-25宇宙開発事業団技術報告: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2000): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystals = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2000): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystalsp.41-49
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- 著者標目前川, 透 池上, 圭介 田所, 丈季 杉木, 喜洋 松本, 聡 Ma...
前川, 透, 平岡, 良章, 松本, 聡, Maekawa, Toru, Hiraoka, Yoshiaki, Matsumoto, Satoshi宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.27-34
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- 著者標目前川, 透 平岡, 良章 松本, 聡 Maekawa, Toru Hi...
前川, 透, 平岡, 良章, 松本, 聡, Maekawa, Toru, Hiraoka, Yoshiaki, Matsumoto, Satoshi宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.19-26
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- 著者標目前川, 透 平岡, 良章 松本, 聡 Maekawa, Toru Hi...
木下, 恭一, 緒方, 康行, 越川, 尚清, 足立, 聡, 岩井, 正行, 鶴, 哲也, 村松, 祐治, 杉木, 喜洋, 前川, 透, 依田, 真一, Kinoshita, Kyoichi, Ogata, Yasuyuki, Koshikawa, Naokiyo, Adachi, Satoshi, Iwai, Masayuki, Tsuru, Tetsuya, Muramatsu, Yuji, Sugiki, Yoshihiro, Maekawa, Toru, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団2003-08-29宇宙開発事業団技術報告: 化合物半導体研究アニュアルレポート2002:混晶半導体(InGaAs)の結晶育成に及ぼす微小重力の効果に関する研究.均一組成結晶の育成 = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystalsp.19-26
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- 著者標目... 村松, 祐治 杉木, 喜洋 前川, 透 依田, 真一 Kinoshita, Kyoichi Oga...
棚澤一郎, 西尾茂文, 前川透著朝倉書店1989
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