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検索結果 93 件

半導体材料プロセスにおける結晶欠陥の生成消滅とその透過電子顕微鏡による評価法に関する研究

半導体材料プロセスにおける結晶欠陥の生成消滅とその透過電子顕微鏡による評価法に関する研究
デジタル博士論文障害者向け資料あり
岩田, 博之愛知工業大学2018-03-23
国立国会図書館

多元ナノ構造解析システムの構築と手法開発

多元ナノ構造解析システムの構築と手法開発
デジタル文書・図像類
岩田, 博之, 高木, 誠, 澤木, 宣彦, 坂, 公恭愛知工業大学2023-11総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.25p.73-75
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機械研磨したGaN表面の格子欠陥評価

機械研磨したGaN表面の格子欠陥評価
デジタル文書・図像類
澤木, 宣彦, 岩田, 博之, 梅村, 樹, 隅田, 憲吾愛知工業大学2023-11総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.25p.81-82
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内部集光型レーザダイシングを用いたTEM試料用小片の切り出し手法

内部集光型レーザダイシングを用いたTEM試料用小片の切り出し手法
デジタル文書・図像類
岩田, 博之, 高木, 誠, 坂, 公恭愛知工業大学2022-10総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.24p.83-84
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回折格子分光器のゴースト

回折格子分光器のゴースト
デジタル文書・図像類
澤木, 宣彦, 岩田, 博之愛知工業大学2021-11総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.23p.62-63
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シリコン単結晶のマイクロトライボロジーに及ぼす温度の影響

シリコン単結晶のマイクロトライボロジーに及ぼす温度の影響
デジタル文書・図像類
高木, 誠, 岩田, 博之, 坂, 公恭愛知工業大学2021-11総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.23p.110-111
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GaNエピタキシャル膜の光学的特性

GaNエピタキシャル膜の光学的特性
デジタル文書・図像類
澤木, 宣彦, 岩田, 博之, 水谷, 大輝, 大谷, 雅也, 前原, 秀伍愛知工業大学2022-10総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.24p.78-79
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パルスレーザ集光により生ずるサファイヤ結晶欠陥の性状と加工効率

パルスレーザ集光により生ずるサファイヤ結晶欠陥の性状と加工効率
デジタル文書・図像類
岩田, 博之, 河口, 大祐, 坂, 公恭愛知工業大学2021-11総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.23p.64-65
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STEM-Ronchigramを利用するLACBEDの開発

STEM-Ronchigramを利用するLACBEDの開発
デジタル文書・図像類
岩田, 博之, 坂, 公恭愛知工業大学2020-11総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.22p.78-79
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ファノー流れによる超音速アーク気流の分光温度計測

ファノー流れによる超音速アーク気流の分光温度計測
デジタル文書・図像類
北川, 一敬, 高木, 誠, 岩田, 博之, 坂, 公恭愛知工業大学2021-11総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.23p.105-107
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機械研磨加工がシリコン単結晶の微構造に及ぼす影響

機械研磨加工がシリコン単結晶の微構造に及ぼす影響
デジタル文書・図像類
高木, 誠, 岩田, 博之, 坂, 公恭愛知工業大学2020-11総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.22p.113-114
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パルスレーザ照射により生ずるSi中ボイド近傍の性状

パルスレーザ照射により生ずるSi中ボイド近傍の性状
デジタル文書・図像類
岩田, 博之, 河口, 大祐, 坂, 公恭愛知工業大学2019-12-30総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.21p.92-94
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
デジタル文書・図像類
澤木, 宣彦, 岩田, 博之, 出町, 雅彦, 刑部, 建太郎愛知工業大学2020-11総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.22p.76-77
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ワイドギャップ半導体の光学特性評価

ワイドギャップ半導体の光学特性評価
デジタル文書・図像類
澤木, 宣彦, 岩田, 博之愛知工業大学2019-12-30総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.21p.80-81
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切断加工したシリコン単結晶の強度に及ぼす後加工の効果

切断加工したシリコン単結晶の強度に及ぼす後加工の効果
デジタル文書・図像類
高木, 誠, 岩田, 博之, 坂, 公恭, 河口, 大祐愛知工業大学2019-12-30総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.21p.120-121
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
デジタル文書・図像類
澤木, 宣彦, 岩田, 博之愛知工業大学2018-09-30総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.20p.68-69
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半導体材料プロセスにおける結晶欠陥の生成消滅とその透過電子顕微鏡による評価法に関する研究

半導体材料プロセスにおける結晶欠陥の生成消滅とその透過電子顕微鏡による評価法に関する研究
デジタル博士論文
岩田, 博之愛知工業大学2018-03-23p.1-144
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内部集光型レーザダイシングを用いたイオンスライサーのための前処理手法

内部集光型レーザダイシングを用いたイオンスライサーのための前処理手法
デジタル文書・図像類
岩田, 博之, 高木, 誠, 坂, 公恭, 河口, 大祐愛知工業大学2018-09-30総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.20p.75-76
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シリコン単結晶のトライボロジーと微構造変化

シリコン単結晶のトライボロジーと微構造変化
デジタル文書・図像類
高木, 誠, 岩田, 博之, 坂, 公恭愛知工業大学2018-09-30総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.20p.106-108
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SiCウェハ内部のパルスレーザ照射痕の観察

SiCウェハ内部のパルスレーザ照射痕の観察
デジタル文書・図像類
岩田, 博之, 河口, 大祐, 坂, 公恭愛知工業大学2016-09-23総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.18p.37-41
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