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基礎からの半導体デバイス (実用理工学入門講座)
基礎からの半導体デバイス (実用理工学入門講座)
紙
図書
和保孝夫, 澤田孝幸, 佐々木公洋, 北川章夫, 深山正幸 共著
日新出版
2008.4
<ND371-J16>
国立国会図書館
全国の図書館
極薄SiC膜を正孔障壁層に用いる新しいエミッタ構造の研究
極薄SiC膜を正孔障壁層に用いる新しいエミッタ構造の研究
デジタル
文書・図像類
佐々木, 公洋,
Sasaki, Kimihiro
2016-04-21
平成5(1993)年度 科学研究費補助金 奨励研究(A) 研究概要 = 1993 Research Project Summary
1993
p.2p.-
全国の図書館
著者標目
佐々木, 公洋
Sasaki, Kimihiro
基礎からの電磁気学 (実用理工学入門講座)
基礎からの電磁気学 (実用理工学入門講座)
紙
図書
中川紀美雄, 中田淳一, 佐々木公洋, 鈴木誠一 共著
日新出版
2006.4
<MC131-H50>
国立国会図書館
全国の図書館
超高濃度ホウ素ドープSiGeによる巨大熱起電力の発現とその応用
超高濃度ホウ素ドープSiGeによる巨大熱起電力の発現とその応用
紙
図書
佐々木公洋, 金沢大学 [著]
[佐々木公洋]
2003-2005
<Y151-H15360161>
国立国会図書館
制限反応スパツタ製膜法による高誘電率YSZ絶縁膜の研究
制限反応スパツタ製膜法による高誘電率YSZ絶縁膜の研究
紙
図書
佐々木, 公洋, 金沢大学
2001-2002
<Y151-H13650338>
国立国会図書館
新しいスパツタ堆積モードによる強誘電体(PZT)薄膜の低温形成とその機構解明
新しいスパツタ堆積モードによる強誘電体(PZT)薄膜の低温形成とその機構解明
紙
図書
佐々木, 公洋, 金沢大学
1997-1998
<Y151-H09650349>
国立国会図書館
超高濃度ホウ素ドープSiGeによる巨大熱超電力の発現とその応用
超高濃度ホウ素ドープSiGeによる巨大熱超電力の発現とその応用
デジタル
文書・図像類
佐々木, 公洋,
Sasaki, Kimihiro
2007-12-12
平成17(2005)年度 科学研究費補助金 基盤研究(B) 研究成果報告書概要 = 2005 Fiscal Year Final Research Report Summary
2003 – 2005
p.2p.-
全国の図書館
著者標目
佐々木, 公洋
Sasaki, Kimihiro
炭化シリコン超薄膜を正孔障壁層に用いる新しいエミツタ構造の研究
炭化シリコン超薄膜を正孔障壁層に用いる新しいエミツタ構造の研究
紙
図書
佐々木, 公洋, 金沢大学
1995-1996
<Y151-H07650394>
国立国会図書館
制限反応スパッタ製膜法による高誘電率YSZ絶縁膜の研究
制限反応スパッタ製膜法による高誘電率YSZ絶縁膜の研究
デジタル
文書・図像類
佐々木, 公洋,
Sasaki, Kimihiro
金沢大学理工研究域電子情報通信学系
2003-06
平成14(2002)年度 科学研究費補助金 基盤研究(C) 研究成果報告書 = 2002 Fiscal Year Final Research Report
2001-2002
p.4p.-
全国の図書館
著者標目
佐々木, 公洋
Sasaki, Kimihiro
非晶質Si系材料を用いたSiヘテロ接合デバイスの研究
非晶質Si系材料を用いたSiヘテロ接合デバイスの研究
紙
デジタル
博士論文
障害者向け資料あり
佐々木公洋 [著]
<UT51-93-L295>
インターネットで読める
国立国会図書館
炭化シリコン超薄膜を正孔障壁層に用いる新しいエミッタ構造の研究
炭化シリコン超薄膜を正孔障壁層に用いる新しいエミッタ構造の研究
デジタル
文書・図像類
佐々木, 公洋,
Sasaki, Kimihiro
金沢大学理工研究域電子情報通信学系
1997-03
平成8(1996)年度 科学研究費補助金 基盤研究(C) 研究成果報告書 = 1996 Fiscal Year Final Research Report
1995-1996
p.7p.-
全国の図書館
著者標目
佐々木, 公洋
Sasaki, Kimihiro
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