松方, 正彦, 早稲田大学1997-1999<Y151-H09555247>
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- 件名ゼオライト膜 水蒸気処理法 MFIゼオライト BEAゼオライト エージング 種結晶 炭化水素分離 シリカ/アルミナ比
福長, 脩, 東京工業大学1990-1992<Y151-H01850020>
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- 件名切削工具 立方晶BN 単結晶 溶媒育成 種結晶成長 高圧育成 アルカリ金属 B N溶媒 相境界
中野, 智九州大学応用力学研究所2020-07九州大学応用力学研究所技術室 技術室報告2p.7-12
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中野, 智九州大学応用力学研究所2019-07九州大学応用力学研究所技術室 技術室報告1p.8-14
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足立, 聡, 緒方, 康行, 吉崎, 泉, 松本, 聡, 越川, 尚清, 高柳, 昌弘, 木下, 恭一, 依田, 眞一, Adachi, Satoshi, Ogata, Yasuyuki, Yoshizaki, Izumi, Matsumoto, Satoshi, Koshikawa, Naokiyo, Takayanagi, Masahiro, Kinoshita, Kyoichi, Yoda, Shinichi宇宙航空研究開発機構2006-03-31宇宙航空研究開発機構特別資料 = JAXA Special Publication: Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs): Growth of Homogeneous CrystalsJAXA-SP-05-036Ep.21-32
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- 件名InGaAs 結晶成長 微小重力 均一結晶 種結晶 2次元性 熱伝達 坩堝 窒化ボロン 飽和溶融帯移動法 cr...
児玉, 茂夫, 古村, 雄二, 木下, 恭一, 加藤, 浩和, 依田, 真一, Kodama, Shigeo, Furumura, Yuji, Kinoshita, Kyoichi, Kato, Hirokazu, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.57-60
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- 件名In(0.3)Ga(0.7)As 種結晶 多成分域溶融 MCZM 垂直勾配冷凍 InAs組成 成長界...
- 一般注記最近、多成分域溶融法を用いたIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の調整を、宇宙実験用として進め......Asの3元バルク結晶をGaAs種結晶の上に成長させてきた。垂直勾配......ことができた。宇宙実験のための種結晶に必要な長さは20mmである。したがって、均質な部分の長さを...
- 並列タイトル等(連結)Multi-componentゾーンメルティング法によるIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の育成
児玉, 茂夫, 中村, 哲夫, 木下, 恭一, 加藤, 浩和, 依田, 真一, Kodama, Shigeo., Nakamura, Tetsuo., Kinoshita, Kyoichi, Kato, Hirokazu, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.61-64
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- 件名In(0.3)Ga(0.7)As 種結晶 多成分ゾーン溶融法 供給結晶 赤外線レーザダイオード レー...
- 一般注記多成分ゾーン溶融法を使ったIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備が宇宙実験のために現在行われている。GaAsの種結晶と供給結晶に挟まれたInAs結......まで伸びた。宇宙実験で使われる種結晶に要求される長さは20mmであるため、In(0.3)Ga(0...
- 並列タイトル等(連結)多成分ゾーン溶融法によるIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備 2