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検索結果 7 件

気相を介する新規合成法によるゼオライト膜の調製とその機能の評価

気相を介する新規合成法によるゼオライト膜の調製とその機能の評価
紙図書
松方, 正彦, 早稲田大学1997-1999<Y151-H09555247>
国立国会図書館
  • 件名ゼオライト膜 水蒸気処理法 MFIゼオライト BEAゼオライト エージング 種結晶 炭化水素分離 シリカ/アルミナ比

シリコン結晶育成時における転位密度の種結晶依存性

シリコン結晶育成時における転位密度の種結晶依存性
デジタル文書・図像類
中野, 智九州大学応用力学研究所2020-07九州大学応用力学研究所技術室 技術室報告2p.7-12
インターネットで読める全国の図書館
  • 要約等...用シリコンの結晶成長において、種結晶を用いた種結晶成長法は、コストが低く高品質な......が報告されている。本報告では、種結晶成長法に用いる種結晶の酸素濃度と転位密度との関係について解析を行った。
  • 件名シリコン太陽電池 種結晶 転位密度 数値解析

種結晶成長法における転位密度の数値解析

種結晶成長法における転位密度の数値解析
デジタル文書・図像類
中野, 智九州大学応用力学研究所2019-07九州大学応用力学研究所技術室 技術室報告1p.8-14
インターネットで読める全国の図書館
  • 要約等...表的な結晶成長方法の1つである種結晶成長法において、異なる結晶方位を持つ種結晶を用いた場合における転位密度の......元数値解析を行った。その結果、種結晶の結晶方位と転位密度との関係について、いくつかの知見を得た。
  • 件名種結晶成長法 結晶成長方位 転位 数値解析

立方晶チツ化ホウ素(cBN)単結晶切削工具材料

立方晶チツ化ホウ素(cBN)単結晶切削工具材料
紙図書
福長, 脩, 東京工業大学1990-1992<Y151-H01850020>
国立国会図書館
  • 件名切削工具 立方晶BN 単結晶 溶媒育成 種結晶成長 高圧育成 アルカリ金属 B N溶媒 相境界

Numerical study of thermal conduction influence on homogeneity of InGaAs crystals

Numerical study of thermal conduction influence on homogeneity of InGaAs crystals
デジタル文書・図像類
足立, 聡, 緒方, 康行, 吉崎, 泉, 松本, 聡, 越川, 尚清, 高柳, 昌弘, 木下, 恭一, 依田, 眞一, Adachi, Satoshi, Ogata, Yasuyuki, Yoshizaki, Izumi, Matsumoto, Satoshi, Koshikawa, Naokiyo, Takayanagi, Masahiro, Kinoshita, Kyoichi, Yoda, Shinichi宇宙航空研究開発機構2006-03-31宇宙航空研究開発機構特別資料 = JAXA Special Publication: Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs): Growth of Homogeneous CrystalsJAXA-SP-05-036Ep.21-32
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  • 件名InGaAs 結晶成長 微小重力 均一結晶 種結晶 2次元性 熱伝達 坩堝 窒化ボロン 飽和溶融帯移動法 cr...

In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method

In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method
デジタル文書・図像類
児玉, 茂夫, 古村, 雄二, 木下, 恭一, 加藤, 浩和, 依田, 真一, Kodama, Shigeo, Furumura, Yuji, Kinoshita, Kyoichi, Kato, Hirokazu, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団1999-09-30宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandump.57-60
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  • 件名In(0.3)Ga(0.7)As 種結晶 多成分域溶融 MCZM 垂直勾配冷凍 InAs組成 成長界...
  • 一般注記最近、多成分域溶融法を用いたIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の調整を、宇宙実験用として進め......Asの3元バルク結晶をGaAs種結晶の上に成長させてきた。垂直勾配......ことができた。宇宙実験のための種結晶に必要な長さは20mmである。したがって、均質な部分の長さを...
  • 並列タイトル等（連結）Multi-componentゾーンメルティング法によるIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の育成

In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method, 2

In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method, 2
デジタル文書・図像類
児玉, 茂夫, 中村, 哲夫, 木下, 恭一, 加藤, 浩和, 依田, 真一, Kodama, Shigeo., Nakamura, Tetsuo., Kinoshita, Kyoichi, Kato, Hirokazu, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団2000-09-29NASDA Technical Memorandump.61-64
全国の図書館
  • 件名In(0.3)Ga(0.7)As 種結晶 多成分ゾーン溶融法 供給結晶 赤外線レーザダイオード レー...
  • 一般注記多成分ゾーン溶融法を使ったIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備が宇宙実験のために現在行われている。GaAsの種結晶と供給結晶に挟まれたInAs結......まで伸びた。宇宙実験で使われる種結晶に要求される長さは20mmであるため、In(0.3)Ga(0...
  • 並列タイトル等（連結）多成分ゾーン溶融法によるIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備　2

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