佐々木, 公洋, 金沢大学2001-2002<Y151-H13650338>
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- 件名制限反応スパツタ ZrO_2 高誘電率 金属モ-ドスパツタ ゲ-ト絶縁膜
松田, 良信, 長崎大学1999-2001<Y151-H11680488>
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- 件名反応性スパツタリング 酸化物薄膜 MgO 金属モード 酸化物モード ヒステリシス マグネトロン 二次電子放出係数
佐々木, 公洋, 金沢大学1997-1998<Y151-H09650349>
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- 件名スパツタリング PZT薄膜 金属モード 酸化物モード 同位体酸素 ZrTiターゲツト 金属・酸化物...
畑, 朋延, Hata, Tomonobu1999-12-07平成10(1998)年度 科学研究費補助金 基盤研究(C) 研究成果報告書概要 = 1998 Fiscal Year Final Research Report Summary1997 – 1998p.2p.-
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- 件名スパッタリング PZT薄膜 金属モード 酸化物モード 同位体酸素 ZrTr ターゲット 金属一酸化...
- 一般注記...により膜中酸素の起源を調べた.金属モードでPZT薄膜を作製すると,膜中......究では、得られた結果を基に、準金属モードスパッタ堆積におけるターゲットの設計指針を与えいる。 Ori...
畑, 朋延, Hata, Tomonobu2003-09-16平成13(2001)年度 科学研究費補助金 基盤研究(B) 研究概要 = 2001 Research Project Summary1999 – 2001p.2p.-
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- 件名スパッタリング 薄膜 金属モード 高誘電率材料 制限反応 ZrO_2 MOSFET フラッシ...