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サブ10ナノメータ級新構造Si MOSFET/SOIの研究
サブ10ナノメータ級新構造Si MOSFET/SOIの研究
紙
図書
酒井徹志, 東京工業大学 [著]
[酒井徹志]
2001-2002
<Y151-H13450138>
国立国会図書館
件名
サブ10ナノメータ / MOSFET/SOI / 短チャネル効果 / 駆動電流 /
高誘電率ゲート絶縁膜
/ SiGe / ECRスパッタ
金属基板SOI・メタルゲート高誘電率絶縁膜CMOS超高速集積回路の研究
金属基板SOI・メタルゲート高誘電率絶縁膜CMOS超高速集積回路の研究
紙
図書
大見, 忠弘, 東北大学
1993-1994
<Y151-H05402039>
国立国会図書館
件名
メタルゲート電極
高誘電率ゲート絶縁膜
金属基板 コンタクト抵抗 銅配線 SOIMOSEFT 閾値
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
デジタル
文書・図像類
近藤, 博基, 安田, 幸夫, 財満, 鎭明, 酒井, 朗, 池田, 浩也
2005-04
インターネットで読める
全国の図書館
件名
...原子間力顕微鏡 電荷トラップ
高誘電率ゲート絶縁膜
高誘電率材料
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