堀尾和重, 芝浦工業大学 [著][堀尾和重]2002-2004<Y151-H14550329>
国立国会図書館
- 件名GaN / MESFET / HEMT / トラップ / シミュレーション
水谷孝, 名古屋大学 [著][水谷孝]2003-2005<Y151-H15206040>
国立国会図書館
- 件名GaN HEMT / GaN MISHEM / 電流コラプス / 高誘電率膜...
前澤, 宏一, 名古屋大学2000-2001<Y151-H12650344>
国立国会図書館
- 件名カオス 共鳴トンネル 分周器 集積回路 HEMT InGaAs InAlAs InP
前澤宏一, 名古屋大学 [著][前澤宏一]2003-2005<Y151-H15360187>
国立国会図書館
- 件名共鳴トンネル / 集積回路 / 論理ゲート / ADコンバータ / InP / InGaAs / InAlAs / HEMT
山本, 錠彦, 大阪大学2001-2002<Y151-H13450142>
国立国会図書館
- 件名光ミキシング マイクロ波トランジスタ HEMT 近接場光 マイクロ波回路 サイドゲ-ト効果 サブキヤリアミ...
大山, 英典, 熊本電波工業高等専門学校1997-1998<Y151-H09045063>
国立国会図書館
- 件名半導体デバイス 高エネルギー粒子線 放射線損傷 特性劣化 格子欠陥 HEMT InGaAs SiGe
澤田孝幸, 北海道工業大学 [著][澤田孝幸]2005-2006<Y151-H17560013>
国立国会図書館
- 件名AlGaN/GaNヘテロ構造 / ショットキーダイオード / ゲートリーク電流 / HEMTデバイス / MBE成長 / I-V特性 / MIS構造 /...
谷口, 研二, 九州大学1996-1997<Y151-H08455167>
国立国会図書館
- 件名量子効果デバイス HEMT RTD モデリング PLL デバイスシミユレーシヨン セル...
橋詰, 保, 北海道大学1997-1998<Y151-H09555092>
国立国会図書館
- 件名インジウムリン シヨツトキー障壁 界面制御 電気化学プロセス シリコン超薄膜制御層 HEMT
裴鐘石, 東北大学1997-1998<Y151-H09450134>
国立国会図書館
- 件名ミニ波帯固体発振器 空間的電力合成 オーバーモード導波管 金属格子鏡型共振器 ガンダイオード HEMT 共鳴トンネルダイオード
徳光, 永輔, 東京工業大学1995-1996<Y151-H07455134>
国立国会図書館
- 件名強誘電体 GaAs BaMgF4 高電子移動度トランジスタ (HEMT) 2次元電子ガス 分子線エピタキシー (MBE)
榊, 裕之, 東京大学1997-1998<Y151-H09450136>
国立国会図書館
- 件名InAs量子箱 自己形成 逆HEMT メモリー機能 光検出器 電子状態 クーロン相互作用 容量・...
梅田, 徳男, 大阪大学1992-1993<Y151-H04555086>
国立国会図書館
- 件名光検出器 超高速 HEMT構造 光機能素子 ピコ秒 光電子集積回路
太田, 博2018-03-24
国立国会図書館
- 件名化合物半導体 GaAs HEMT GaN p-n Diode
春日, 隆, 国立天文台1988-1989<Y151-S63550033>
国立国会図書館
- 件名高電子移動度トランジスター (HEMT) 極低温 マイクロ波 ミリ波 DXセンター 光応答 アンプ...
張, 吉夫, 大阪大学1987-1989<Y151-S62850068>
国立国会図書館
- 件名超高速 光検出器 HEMT構造 多重 2次元電子ガス層 ピコ秒
水谷, 孝, 名古屋大学2001-2002<Y151-H13450141>
国立国会図書館
- 件名GaN HEMT 電流しゃ断周波数 実効電子速度 低周波雑音 EL発光 電界...
深津晋, 東京大学 [著][深津晋]2000-2001<Y151-H12450005>
国立国会図書館
- 件名... / 高移動度トランジスタ (HEMT)
DOU, CHUN MENG, Dou, Chunmeng2014-03
国立国会図書館
- 件名Interface traps, oxide border traps, MOS, multi-gate structure, high-k/III-V, AlGaN/GaN HEMT
- 一般注記...oltage. Also, HEMT (High Electron Mobility Trans...
Yafune, N., Hashimoto, S., Akita, K., Yamamoto, Y., Tokuda, H., Kuzuhara, M.The Institution of Engineering and Technology2014-01-30Electronics Letters50 3p.211-212
全国の図書館
- 件名AlN AIGaN HEMT
- 一般注記...ty transistor (HEMT) fabricated on......ated AlN/AlGaN HEMT exhibited a maximum drain cur...