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GaNパワーデバイス
(特許出願技術動向調査報告書 ; 令和3年度)
GaNパワーデバイス (特許出願技術動向調査報告書 ; 令和3年度)
記録メディア
電子資料
特許庁
2022.3
<YH233-M3895>
国立国会図書館
GaNパワーデバイス
(特許出願技術動向調査報告書 ; 平成28年度)
GaNパワーデバイス (特許出願技術動向調査報告書 ; 平成28年度)
紙
図書
特許庁
2017.3
<M351-L539>
国立国会図書館
全国の図書館
GaNパワーデバイス
(TRC R & D library)
GaNパワーデバイス (TRC R & D library)
紙
図書
東レリサーチセンター調査研究部
2015.2
<ND371-M1>
国立国会図書館
Die-attach構造の高温信頼性とSiC /
GaNパワーデバイス
の熱特性評価
Die-attach構造の高温信頼性とSiC / GaNパワーデバイスの熱特性評価
デジタル
博士論文
障害者向け資料あり
金, 東辰
2020-03-25
インターネットで読める
国立国会図書館
全国の図書館
縦型
GaNパワーデバイス
実現に向けたMgイオン注入プロセスに関する研究
縦型GaNパワーデバイス実現に向けたMgイオン注入プロセスに関する研究
デジタル
博士論文
障害者向け資料あり
櫻井, 秀樹
櫻井, 秀樹
2020
国立国会図書館
縦型
GaNパワーデバイス
実現に向けたICP-RIEを用いたトレンチ形成プロセスに関する研究
縦型GaNパワーデバイス実現に向けたICP-RIEを用いたトレンチ形成プロセスに関する研究
デジタル
博士論文
障害者向け資料あり
山田, 真嗣
山田, 真嗣
2021
国立国会図書館
GaNパワーデバイス
の進展と課題 : 先進パワー半導体分科会第15回研究会 (公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会 = Advanced Power Semiconductors ; 2019 vol. 6 no. 3)
GaNパワーデバイスの進展と課題 : 先進パワー半導体分科会第15回研究会 (公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会 = Advanced Power Semiconductors ; 2019 vol. 6 no. 3)
紙
図書
応用物理学会先進パワー半導体分科会 編
応用物理学会先進パワー半導体分科会
2019.7
<ND371-M22>
国立国会図書館
GaNパワーデバイス
向け絶縁膜技術 : 先進パワー半導体分科会第4回個別討論会 (公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会 = Advanced Power Semiconductors ; 2018 vol. 4 no. 1)
GaNパワーデバイス向け絶縁膜技術 : 先進パワー半導体分科会第4回個別討論会 (公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会 = Advanced Power Semiconductors ; 2018 vol. 4 no. 1)
紙
図書
応用物理学会先進パワー半導体分科会 編
応用物理学会先進パワー半導体分科会
2018.7
<Y93-L15089>
国立国会図書館
GaNパワーデバイス
の技術展開
GaNパワーデバイスの技術展開
紙
図書
サイエンス&テクノロジー
2012.4
<ND371-J209>
国立国会図書館
全国の図書館
SiC/
GaNパワーデバイス
の製造プロセスと放熱・冷却技術
SiC/GaNパワーデバイスの製造プロセスと放熱・冷却技術
紙
図書
春日務 企画編集
技術情報協会
2010.2
<ND371-J106>
国立国会図書館
全国の図書館
GaNパワーデバイス
GaNパワーデバイス
紙
図書
東レリサーチセンター調査研究部編
東レリサーチセンター
2015.1
全国の図書館
GaNパワーデバイス
実現に向けたMgのイオン注入及び拡散プロセスに関する研究
GaNパワーデバイス実現に向けたMgのイオン注入及び拡散プロセスに関する研究
紙
博士論文
伊藤, 佑太
2025-03-25
全国の図書館
縦型
GaNパワーデバイス
実現に向けたMgイオン注入プロセスに関する研究
縦型GaNパワーデバイス実現に向けたMgイオン注入プロセスに関する研究
紙
博士論文
櫻井, 秀樹
2020-09-28
全国の図書館
縦型
GaNパワーデバイス
実現に向けたICP-RIEを用いたトレンチ形成プロセスに関する研究
縦型GaNパワーデバイス実現に向けたICP-RIEを用いたトレンチ形成プロセスに関する研究
紙
博士論文
山田, 真嗣
2021-03-25
全国の図書館
GaN系半導体デバイスの技術開発課題とその新しい応用の展望（Vol.4） —
GaNパワーデバイス
製造コスト—
GaN系半導体デバイスの技術開発課題とその新しい応用の展望（Vol.4） —GaNパワーデバイス製造コスト—
デジタル
文書・図像類
国立研究開発法人科学技術振興機構
2020-02
全国の図書館
GaN系半導体デバイスの技術開発課題とその新しい応用の展望 vol. 4 (低炭素社会の実現に向けた技術および経済・社会の定量的シナリオに基づくイノベーション政策立案のための提案書)
GaN系半導体デバイスの技術開発課題とその新しい応用の展望 vol. 4 (低炭素社会の実現に向けた技術および経済・社会の定量的シナリオに基づくイノベーション政策立案のための提案書)
紙
図書
科学技術振興機構低炭素社会戦略センター
2020.2
<Y111-M1191>
国立国会図書館
内容細目
GaNパワーデバイス
製造コスト
ワイドギャップ半導体の研究
ワイドギャップ半導体の研究
紙
図書
トランジスタ技術SPECIAL編集部編
CQ出版
2012.8
全国の図書館
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