佐々木, 昭夫, 大阪電気通信大学1995-1997<Y151-H07505011>
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- 件名InAs/GaAs量子構造 InGaN/GaN成長 プラズマ励起GaN成長 プラズマ励起InGaN成長 InGaN相分離
播磨, 弘, 大阪大学1997-1998<Y151-H09650014>
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- 件名ラマン散乱 変調反射 GaN InGaN AlGaN 混晶
西岡, 政雄, 東京大学2000-2002<Y151-H12650037>
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- 件名青紫色面発光レ-ザ InGaN 窒化物半導体 縦型微小共振器 量子構造
荒川泰彦, 東京大学 [著][荒川泰彦]2001-2003<Y151-H13355015>
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- 件名GaN / 面発光レーザ / InGaN / 半導体レーザ / 量子井戸 / 化合物半導体
斎藤, 敏夫, 東京大学2000-2001<Y151-H12650004>
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- 件名GaN InGaN 量子ドツト 電子構造 強結合法 ピエゾ効果 シユタルク効果...
酒井, 士郎, 徳島大学1995-1996<Y151-H07555102>
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- 件名GaN InGaN バルク MOCVD LED 半導体レーザ ホモエピタキシー...
酒井, 士郎, 徳島大学1995-1996<Y151-H07455009>
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- 件名GaN InGaN バルクGaN ホモエピタキシヤル成長 昇華法 GaPN 半...
藤原賢三, 九州工業大学 [著][藤原賢三]2004-2006<Y151-H16360157>
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- 件名量子井戸構造 / 窒化ガリウム系半導体 / 発光ダイオード / InGaN / エレクトロルミネッセンス / キャリアー捕獲 / フォ...
石井, 恂, 金沢工業大学2000-2001<Y151-H12650021>
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- 件名有機金属気相成長法 生成分子種 四重極質量分析 モノメチルヒドラジン InGaN トリメチルインジウム トリメチルガリウム 熱分解
黒田和男, 東京大学 [著][黒田和男]2004-2006<Y151-H16360026>
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- 件名InGaN/GaN量子井戸 / GaN薄膜 / フォトリフラクティブ素...
佐々木, 昭夫, 大阪電気通信大学1998-2000<Y151-H10450128>
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- 件名量子効果半導体 光量子物性 不規則量子細線 自然超格子 Ga0.52In0.48P InGaN単一量子井戸
Ozaki, Takuya京都大学 (Kyoto University)2017-03-23
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- 件名Growth InGaN ScAlMgO4 Visible
- 並列タイトル等(連結)可視全域をカバーする発光素子開発のためのScAlMgO4基板上へのInGaN系発光層の成長に関する研究
- 並列タイトル等可視全域をカバーする発光素子開発のためのScAlMgO4基板上へのInGaN系発光層の成長に関する研究
Yamamoto, A., Hasan, T. Md., Kodama, K., Shigekawa, N., Kuzuhara, M.WILEY-VCH2015-02-17Physica Status Solidi Bp.1-4
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- 件名InGaN annealing doping MOVPE
- 一般注記...grown Mg-doped InGaN. By using MOVP......or 20 min, the InGaN flm is phase-separated. On th...
Yamamoto, A., Hasan, Md. T., Kodama, K., Shigekawa, N., Kuzuhara, M.Wiley-VCH Verlag2015-02Physica Status Solidi (b)2015p.1-4
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- 件名annealing doping InGaN magnesium MOVPE phase separat...
- 一般注記...grown Mg-doped InGaN. By using MOVP......or 20?min, the InGaN film is phase-separated. On t...
Hossain, Md. Arafat, Islam, Md. Rafiqul, Hossain, M. K., Hashimoto, A., Yamamoto, A.2013-12Materials for Renewable and Sustainable Energy2 20p.1-14
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- 件名InGaN Critical thickness Misfit dis...
- 一般注記...ells using the InGaN materials. In ......ty in wurtzite InGaN heteroepitaxy ......one for 1.5 μm InGaN using 3 stepgraded interlayer...
上田, 雅也京都大学 (Kyoto University)2009-03-23
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神成, 文彦2016科学研究費補助金研究成果報告書
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- 件名Pr:YLFレーザー,InGaN半導体レーザー,モード同期,受動Qスイッチ,深紫外レーザー
- 一般注記...pumped by blue InGaN diode-lasers (......ing four 3.5-W InGaN LDs, CW lasers at red (4.8W) ...
瀧川, 信一京都大学 (Kyoto University)2012-03-26
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- 件名フォトニック結晶 レーザー 利得 損失 テラヘルツ 無極性 InGaN
藤原, 賢三九州工業大学2007-06
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- 件名...roluminescence InGaN