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- Subject Heading浮遊帯溶融法 / バナジン酸ルテチウム / 単結晶 / 固体レーザ材料 ...
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- Subject Heading浮遊帯溶融法 レ-ザ結晶 アイセ-フ ツリウム バナジン酸希土類 単結晶
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- Subject Headingリラクサ- 強誘電体 結晶成長 高温電気炉 温度制御 熔融法 誘電率
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- Subject HeadingNaCo2O4 / 固相反応法 / プラズマ焼結法 / 溶融法 / 低荷重化加熱法 / ホットプレス法 / ゼーベック係数...
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- Subject Headingパルス着磁法 高温超伝導バルク磁石 パルス磁場 溶融法 ピン止め機構
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- Subject Heading希土類ケイ酸塩 酸素イオン伝導体 アパタイト構造 浮遊帯溶融法 単結晶 非化学量論性 導電率の異方性
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- Subject Heading集光式浮遊帯溶融法 酸化物 フアイバー結晶 レーザー材料 バナジン酸イツトリウ...
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- Subject Heading超高真空 帯溶融法 単結晶育成 重い電子系 希土類化合物 CeRu2Si2 L...
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- Subject Heading酸化物高温超伝導体 単結晶育成 浮遊帯溶融法 計算機シミユレーシヨン X線回析 中性子回析
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- Subject Headingチタン酸ジルコニウム アルフアーPbO2構造 マイクロ波誘電体 変調構造 帯溶融法 FZ法
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- Subject Heading斑銅鉱 磁硫鉄鉱 マツキノー鉱 黄銅鉱 黄鉄鉱 プラズマ溶融法 相平衡関係 Cu-Fe-S系
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- Subject Headingセレン化亜鉛単結晶 高圧溶融法 ブリツジマン法 ボロンナイトライド パイロリテイツクボロン...
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- Subject Heading濃度勾配部分溶融法 CGPM法 In(x)Ga(......熱力学 微小重力 多成分ゾーン溶融法 混合結晶 定量的推定 一様結晶 定性的検証 concent...
- Alternative Title濃度勾配部分溶融法とそのIn(x)Ga(1-x)Asへの応用についての定性的記...
- Alternative Title濃度勾配部分溶融法とそのIn(x)Ga(1-x)Asへの応用についての定性的記...
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- Subject Heading... グレーデッド溶質濃縮法 部分溶融法 濃度勾配部分溶融法 スペースシャトル 国際宇宙ス......)As 固液反応 多成分ゾーン溶融法 混合結晶 InAs-GaAs バイナリ半導体 gジッタ s...
- Note (General)...)As結晶の成長、濃度勾配部分溶融法とそのIn(x)Ga(1-x)......GaAs出発物質、多成分ゾーン溶融法によるIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備、数値解析...
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- Subject Headingゾーン溶融法 種 結晶過程 In(sub x)Ga(sub 1-x)As...
- Alternative Title多成分ゾーン溶融法を用いたIn(sub 0.3)Ga(sub 0.7)As種結...
- Alternative Title多成分ゾーン溶融法を用いたIn(sub 0.3)Ga(sub 0.7)As種結...
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- Subject Heading... グレーデッド溶質濃縮法 部分溶融法 濃度勾配部分溶融法 スペースシャトル 国際宇宙ステーション 結晶成長 一様混合...
- Note (General)...発したが、さらにこの方法を部分溶融法の考えを採用することで発展させ、「濃度勾配部分溶融法」と命名した。スペースシャトルや国際宇宙ステーション(ISS...
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- Subject HeadingIn(0.3)Ga(0.7)As 種結晶 多成分ゾーン溶融法 供給結晶 赤外線レーザダイオード レーザ振動 Bridgm...
- Note (General)多成分ゾーン溶融法を使ったIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備が宇宙実...
- Alternative Title多成分ゾーン溶融法によるIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備 2
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- Subject Heading微小重力環境 帯溶融法 PbSnTe単結晶 結晶成長 赤外線加熱イメージ炉 蒸発 ...
- Note (General)微小重力下にでの赤外線加熱イメージ炉を用いた帯溶融法において、溶融部の移動によって......が長時間安定しているために、帯溶融法および浮遊帯溶融法を用いて大形の結晶成長が可能であると考えられる。今回の実験で...
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- Subject Heading浮遊帯域溶融法 化合物半導体 InSb単結晶 結晶成長 微小重力環境 赤外...
- Note (General)...ンチモン(InSb)の浮遊帯域溶融法結晶成長実験を行った。その結果......の実験は微小重力環境で浮遊帯域溶融法で化合物半導体の育成を行った最......ることが実証され、また浮遊帯域溶融法が微笑重量環境において、過去の宇宙実験でなされたシリコン(S...
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