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Digital博士論文障害者向け資料あり
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- Alternative TitleResearch of SiC Crystal Defect for Highly Reliable SiC Power Device
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- Alternative Title数値解析によるSiC結晶の溶液成長における長時間不安定性の研究
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- Alternative Title...oven amorphous SiC fiber / SiC / YSi2-Si matrix composites
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Available onlineNational Diet LibraryOther Libraries in Japan
- Subject Headingcomposites SiC fiber metal fusion reactor me...
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- Alternative Title...gonal 3D-woven SiC fiber/SiC-based matrix composites at el...
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- Alternative Title4H-SiCの溶液成長のステップダイナミクスに関するマルチスケール数値解...
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- Alternative Title電力変換回路に実装されたSiC MOSFETの信頼性向上を目的としたゲート酸化膜劣化監視機...
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- Note (General)学位論文はNITE 法で製作した炭素繊維強化 SiC 基複合材料( C/SiC 複合材料の)の強化材に使用す......維の機械特性や微細組織が C/SiC 複合材料の強度と靭性に及ぼす......くべき知見を述べている。 C/SIC 複合材料は安価な炭素繊維と耐酸化性の SiC マトリックスを組み合わせた材......相法( NITE 法)で C/SiC 複合材料が製作された歴史は無......合材料の試作の段階にある。概ねSiC/SiC 複合材料と炭素繊維強化プラス......究のために、 NITE C /SiC 複合材料の高温引張強度研究を......1830 ℃で製造された C/SiC 複合材料は室温においては大き......ラックの評価から、炭素繊維と SiC マトリックスの熱膨張率差によ......osites. NITE C/SiC composites are......roperties of C/SiC composites and......ture of NITE C/SiC composites rei...... initiation on SiC matrix during ......tests of the C/SiC composites. Th......ased fiber and SiC matrix are significantly reac...
- Alternative TitleResearch of Mechanical Properties of NITE SiC Matrix Composites Reinforced ...
- Alternative TitleResearch of Mechanical Properties of NITE SiC Matrix Composites Reinforced ...
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- Note (General)...もスイッチング損失を低減可能なSiC MOSFETが注目されている......低減が重要である。本論文では、SiCに固有の課題に特に着目すること......、という課題に対して、これらがSiC MOSFETのスイッチング特性へおよぼす影響を明確化するこ...
- Alternative TitleSiC MOSFET ノ スイッチング ソンシツ テイゲン ニ カ...
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- Toc / Article...の次の一手 参考文献 第3章 SiCパワー半導体デバイスの進展 3.1 はじめに 3.2 SiCパワー半導体デバイス優位点のおさらい 3.3 SiC MOSFETかSiC IGBTか 3.4 SiC MOSFET 3.4.1 SiC MOSFETを取り巻く現在の状況 3.4.2 SiC MOSFET普及のための課題......アダイオード (SBD) 内蔵SiC MOSFET 3.5 将来のSiC MOSFETに向けての新技術 3.5.1 SiC Superjunction ......構造 3.5.3 モノリシックSiCパワーIC技術 第4章 SiC MOSFET破壊耐量 4.1......場合) 4.3.3 SBD内蔵SiC MOSFETの負荷短絡耐量解......子表面にCuブロックを付加したSiC MOSFETの負荷短絡耐量 ......ing(UIS)耐量 4.6 SiC MOSFET内蔵ダイオードの......ージ電流耐量とは 4.6.2 SiCトレンチMOSFETならびにSBD内蔵SiCトレンチMOSFETの耐量評価......子表面にCuブロックを付加したSiC MOSFETの順方向サージ電流耐量 第5章 SiC MOSFET実装技術 5.1...... 必要となる要素技術 5.3 SiC MOSFETパッケージ内に取り込まれた要素技術 5.3.1...
- Summary, etc....徐々にではあるが炭化ケイ素( SiC) に代表される次世代パワー半......の需要の拡大が大いに期待されるSiC MOSFET について,その......,今後の発展が大いに期待されるSiC MOSFET について,その......に分けて丁寧に解説されている。SiC MOSFET 最新技術につい......て本書では特に,第4章として,SiC MOSFET の高信頼性特性......,最新の解析結果を紹介しながらSiC MOSFET がどのように壊れるのか,シリコンIGBT よ...
- Author introduction...ンIGBT、ダイオードならびにSiC デバイス の研究開発、製品化......エレクトロニクス研究センター SiC パワーデバイス量産化技術開発......学域 教授、現在に至る 専門:SiC パワーデバイスの設計ならびに解析 所属学会:電気学会上級会...
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- Alternative Title厚いGaN層を有する3C-SiC/LR-Si上AlGaN/GaN HEMTsのRF応用に向け...
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- Alternative TitleSi₂N3₃ surface honeycomb lattice on SiC(0001)
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- Alternative Title極限環境エレクトロニクス実現に向けた界面ケイ酸塩層を有する高移動度SiC MOSFETsの研究
- Alternative Title極限環境エレクトロニクス実現に向けた界面ケイ酸塩層を有する高移動度SiC MOSFETsの研究