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半導体デバイス工学 : デバイスの基礎から製作技術まで
半導体デバイス工学 : デバイスの基礎から製作技術まで
紙
図書
大山英典, 葉山清輝 著, 安田幸夫 校閲
森北出版
2004.3
<ND371-H53>
国立国会図書館
全国の図書館
著者標目（識別子）
00950424 00950425
00950833
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
紙
図書
近藤博基, 安田幸夫, 名古屋大学 [著]
[近藤博基]
2001-2004
<Y151-H13305005>
国立国会図書館
著者標目（識別子）
00950833
00260057
革新的なナノテクノロジー研究を日本の将来に生かすために (科学技術政策研究所講演録 ; 141)
革新的なナノテクノロジー研究を日本の将来に生かすために (科学技術政策研究所講演録 ; 141)
紙
図書
安田幸夫, 榊裕之, 森野明彦 [述]
文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター
2004.6
<M41-H32>
国立国会図書館
全国の図書館
著者標目（識別子）
00950833
00117745 00969327
界面組成変調層を用いたサブ0.1μm世代ULSI用低抵抗コンタクト構造の研究
界面組成変調層を用いたサブ0.1μm世代ULSI用低抵抗コンタクト構造の研究
紙
図書
安田, 幸夫, 名古屋大学
2000-2002
<Y151-H12555005>
国立国会図書館
著者標目（識別子）
00950833
電子エネルギー損失分光法を用いた原子層CVDにおける反応メカニズムの研究
電子エネルギー損失分光法を用いた原子層CVDにおける反応メカニズムの研究
紙
図書
安田, 幸夫, 名古屋大学
1996-1998
<Y151-H08455019>
国立国会図書館
著者標目（識別子）
00950833
次世代ULSI用超低抵抗コンタクト材料の開発
次世代ULSI用超低抵抗コンタクト材料の開発
紙
図書
安田, 幸夫, 名古屋大学
1996-1998
<Y151-H08505001>
国立国会図書館
著者標目（識別子）
00950833
シリコンゲルマニウム量子井戸構造を用いた赤外発光素子の開発
シリコンゲルマニウム量子井戸構造を用いた赤外発光素子の開発
紙
図書
安田幸夫, 名古屋大学
1995-1996
<Y151-H06555005>
国立国会図書館
著者標目（識別子）
00950833
電子エネルギー損失分光法を用いた薄膜成長機構に与える水素原子の役割に関する研究
電子エネルギー損失分光法を用いた薄膜成長機構に与える水素原子の役割に関する研究
紙
図書
安田, 幸夫, 名古屋大学
1994-1995
<Y151-H06452119>
国立国会図書館
著者標目（識別子）
00950833
パルスレーザー飛行時間法を用いたシリコン擬1次元キヤリア系の量子輸送機構の研究
パルスレーザー飛行時間法を用いたシリコン擬1次元キヤリア系の量子輸送機構の研究
紙
図書
安田, 幸夫, 名古屋大学
1992-1993
<Y151-H04452090>
国立国会図書館
著者標目（識別子）
00950833
時間分解振動励起分光法の開発と半導体薄膜成長素過程の研究
時間分解振動励起分光法の開発と半導体薄膜成長素過程の研究
紙
図書
安田, 幸夫, 名古屋大学
1990-1991
<Y151-H02402022>
国立国会図書館
著者標目（識別子）
00950833
固相界面反応を伴うシリコンヘテロエピタキシヤル成長機構の解明
固相界面反応を伴うシリコンヘテロエピタキシヤル成長機構の解明
紙
図書
安田, 幸夫, 名古屋大学
1988-1989
<Y151-S63460055>
国立国会図書館
著者標目（識別子）
00950833
機能性薄膜の形成技術の開発と応用
機能性薄膜の形成技術の開発と応用
紙
図書
安田, 幸夫, 名古屋大学
1988-1989
<Y151-S63302021>
国立国会図書館
著者標目（識別子）
00950833
極めて薄いSOS膜の開発とサブミクロンVLSIへの応用
極めて薄いSOS膜の開発とサブミクロンVLSIへの応用
紙
図書
安田, 幸夫, 豊橋技術科学大学
1984-1985
<Y151-S59850050>
国立国会図書館
著者標目（識別子）
00950833
真空蒸着膜の成長機構
真空蒸着膜の成長機構
紙
博士論文
安田幸夫 [著]
<UT51-49-K159>
国立国会図書館
著者標目（識別子）
00950833
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