「"安田, 幸夫, 1940-"」の検索結果 | NDLサーチ

検索結果 14 件

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界面組成変調層を用いたサブ0.1μm世代ULSI用低抵抗コンタクト構造の研究

紙図書

安田, 幸夫, 名古屋大学2000-2002<Y151-H12555005>

国立国会図書館

著者標目安田, 幸夫, 1940-

単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明

紙図書

近藤博基, 安田幸夫, 名古屋大学 [著][近藤博基]2001-2004<Y151-H13305005>

国立国会図書館

著者標目近藤, 博基安田, 幸夫, 1940- 名古屋大学

革新的なナノテクノロジー研究を日本の将来に生かすために (科学技術政策研究所講演録 ; 141)

紙図書

安田幸夫, 榊裕之, 森野明彦 [述]文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター2004.6<M41-H32>

国立国会図書館全国の図書館

著者標目安田, 幸夫, 1940- 榊, 裕之, 1944- 森野, 明彦

半導体デバイス工学 : デバイスの基礎から製作技術まで

紙図書

大山英典, 葉山清輝著, 安田幸夫校閲森北出版2004.3<ND371-H53>

国立国会図書館全国の図書館

著者標目大山, 英典, 1957-2011 葉山, 清輝, 1966- 安田, 幸夫, 1940-

電子エネルギー損失分光法を用いた原子層CVDにおける反応メカニズムの研究

紙図書

安田, 幸夫, 名古屋大学1996-1998<Y151-H08455019>

国立国会図書館

著者標目安田, 幸夫, 1940-

次世代ULSI用超低抵抗コンタクト材料の開発

紙図書

安田, 幸夫, 名古屋大学1996-1998<Y151-H08505001>

国立国会図書館

著者標目安田, 幸夫, 1940-

シリコンゲルマニウム量子井戸構造を用いた赤外発光素子の開発

紙図書

安田幸夫, 名古屋大学1995-1996<Y151-H06555005>

国立国会図書館

著者標目安田, 幸夫, 1940-

電子エネルギー損失分光法を用いた薄膜成長機構に与える水素原子の役割に関する研究

紙図書

安田, 幸夫, 名古屋大学1994-1995<Y151-H06452119>

国立国会図書館

著者標目安田, 幸夫, 1940-

パルスレーザー飛行時間法を用いたシリコン擬1次元キヤリア系の量子輸送機構の研究

紙図書

安田, 幸夫, 名古屋大学1992-1993<Y151-H04452090>

国立国会図書館

著者標目安田, 幸夫, 1940-

時間分解振動励起分光法の開発と半導体薄膜成長素過程の研究

紙図書

安田, 幸夫, 名古屋大学1990-1991<Y151-H02402022>

国立国会図書館

著者標目安田, 幸夫, 1940-

固相界面反応を伴うシリコンヘテロエピタキシヤル成長機構の解明

紙図書

安田, 幸夫, 名古屋大学1988-1989<Y151-S63460055>

国立国会図書館

著者標目安田, 幸夫, 1940-

機能性薄膜の形成技術の開発と応用

紙図書

安田, 幸夫, 名古屋大学1988-1989<Y151-S63302021>

国立国会図書館

著者標目安田, 幸夫, 1940-

極めて薄いSOS膜の開発とサブミクロンVLSIへの応用

紙図書

安田, 幸夫, 豊橋技術科学大学1984-1985<Y151-S59850050>

国立国会図書館

著者標目安田, 幸夫, 1940-

真空蒸着膜の成長機構

紙博士論文

安田幸夫 [著]<UT51-49-K159>

国立国会図書館

著者標目安田, 幸夫, 1940-

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