徳光, 永輔, 東北大学2000-2002<Y151-H12450121>
国立国会図書館
- 件名高誘電率材料 ゲ-ト絶縁膜 MOSFET ゾルゲル法 分子線蒸着法 Hf...
野平博司, 武蔵工業大学 [著][野平博司]2004-2005<Y151-H16560026>
国立国会図書館
- 件名高誘電率材料 / 角度分解X線光電子分光法 / 絶縁膜/Si界面 / 希...
野平博司, 武蔵工業大学 [著][野平博司]2002-2003<Y151-H14550029>
国立国会図書館
- 件名高誘電率材料 / 角度分解X線光電子分光法 / 絶縁膜/Si界面 / 希...
大木義路, 早稲田大学 [著][大木義路]2004-2006<Y151-H16360160>
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- 件名ゲート絶縁膜 / 高誘電率材料 / ハフニウムシリケート / ジルコニウムシリケート / ...
徳光, 永輔2015-06-02科学研究費助成事業研究成果報告書p.1-5
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- 件名薄膜トランジスタ 可変容量キャパシタ 強誘電体 高誘電率材料 酸化物半導体
- 一般注記本研究の目的は、大きな電荷密度を誘起できる強誘電体または高誘電率材料を用いて、面積を可変できる酸化......件の最適化と溶液プロセスによる高誘電率材料の探索を実施した。次にITOまたはIn2O3をチャネルに用い...
近藤, 博基, 安田, 幸夫, 財満, 鎭明, 酒井, 朗, 池田, 浩也2005-04
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- 件名...ラップ 高誘電率ゲート絶縁膜 高誘電率材料