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タンタル酸化物を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)とセンサ応用に関する研究

Digital博士論文障害者向け資料あり

米田, 慎一奈良先端科学技術大学院大学2021-12-31

Available onlineNational Diet LibraryOther Libraries in Japan

Subject Heading抵抗変化型メモリタンタル酸化物不揮発性メモリガスセンサ ReRAM

強誘電体薄膜の分極反転特性の経時変化に関する研究

Paper図書

岡村総一郎, 東京理科大学 [著][岡村総一郎]2006-2007<Y151-H18560024>

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Subject Heading強誘電体薄膜 / 不揮発性メモリー / ヒステリシス / インプリント / 電荷注入

Study on the charge trapping phenomena in silicon carbonitride films for nonvolatile semiconductor memory applications

Digital博士論文障害者向け資料あり

Ahmed Sheikh Rashel Al東海大学2017-09-21

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Subject Heading...ge trap center 不揮発性メモリシリコン炭窒化膜電荷重心電荷保持特性電荷捕獲中心

電子線誘起反応を利用した複合酸化物の微細加工法に関する研究

Paper図書

岡村, 総一郎, 奈良先端科学技術大学院大学1998-1999<Y151-H10650348>

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Subject Heading微細加工酸化物強誘電体不揮発性メモリー電子線誘起反応 FT-IR

耐水素・高疲労特性Ag合金系強誘電体薄膜用電極薄膜の作製

Paper図書

増本, 博, 東北大学2000-2002<Y151-H12555174>

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Subject Heading強誘電体薄膜不揮発性メモリチタン酸ジルコン酸鉛耐水素特性白金電極疲労特性銀電...

次世代不揮発性メモリー実用化のための界面還元修飾法の応用

Paper図書

伊藤, 太一郎, 大阪府立大学1998-2000<Y151-H10555220>

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Subject HeadingYMnO3 Y2O3 界面還元修飾 MFIS-FET 強誘電体トランジスタ強誘電体不揮発性メモリー

揺らぎを排した量子スケールMOSFETにおける物理現象の探究と集積化応用の研究

Paper図書

平本俊郎, 東京大学 [著][平本俊郎]2001-2003<Y151-H13450135>

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Subject Heading半導体 / シリコンMOSFET / 不揮発性メモリ / 量子効果 / しきい値電圧 / ナノテクノロジー / ...

不揮発性強誘電体ゲートトランジスタの記憶特性の解明とニユーラルネツトへの応用

Paper図書

徳光, 永輔, 東京工業大学1997-1998<Y151-H09450123>

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Subject Heading強誘電体不揮発性メモリニユーラルネツト強誘電体ゲートトランジスタ

デジタルMOCVD法によるPZT強誘電体薄膜の作製とそのデバイス応用に関する研究

Paper図書

黒岩, 紘一, 東京農工大学1995-1997<Y151-H07555418>

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Subject Heading強誘電体薄膜不揮発性メモリ PZT ペロブスカイト型結晶デジタルCVD

過去の経験をコードで記憶する高精度アナログ不揮発性メモリの研究

Paper図書

柴田, 直, 東京大学1996-1997<Y151-H08405021>

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Subject HeadingEEPROM 不揮発性メモリアナログメモリ FN注入知能システム特徴ベクトル

低電力動作可能な不揮発 SRAM に関する研究

Digital文書・図像類

中山, 和也, Nakayama, Kazuya金沢大学医薬保健研究域保健学系2014-05-13平成25(2013)年度科学研究費補助金基盤研究(C) 研究成果報告書 = 2013 Fiscal Year Final Research Report2011-2013p.5p.-

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Subject Heading不揮発性メモリ SRAM ReRAM
Note (General)多値記録可能な不揮発性メモリ（ReRAM）とSRAMを組み合わせたメモリに関する研究をお...

強誘電体の薄膜化により顕著に生じる特性とその強誘電体薄膜メモリに及ぼす影響の研究

Paper図書

塩嵜忠, 奈良先端科学技術大学院大学1998-1999<Y151-H10450120>

National Diet Library

Subject Heading強誘電体不揮発性メモリー Pb (Zr, Ti) O3 分極反転疲労インプリント...

エキシマ照射した強誘電性薄膜の低温作製と評価

Paper図書

林卓, 湘南工科大学 [著][林卓]2002-2003<Y151-H14550672>

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Subject Headingエキシマ照射 / 強誘電性 / 薄膜 / 低温作製 / チタン酸ビスマス化合物 / 化学溶液法 / ランタンドープチタン酸ビスマス / 不揮発性メモリ

強誘電体/絶縁膜/半導体ゲート構造における強誘電体層、絶縁層界面特性の改善

Paper図書

野田実, 大阪大学 [著][野田実]2000-2002<Y151-H12450147>

National Diet Library

Subject Heading強誘電体 / MFIS構造 / 不揮発性メモリ / SrBi_2Ta_2O_9 (SBT) / Sr_2 ...

レーザ・プラズマプロセス開発による先端材料・デバイスの創製

Paper図書

蛯原, 健治, 熊本大学1998-2000<Y151-H10045046>

National Diet Library

Subject Headingレーザーアブレーシヨンプラズマヘテロ構造薄膜強誘電体酸化物高温超電導体ダイヤモンド薄膜不揮発性メモリー巨大磁気抵抗

スピン偏極電子トンネル型大容量・高速ランダムアクセスメモリー

Paper図書

直江, 正彦, 東京工業大学1997-1999<Y151-H09305024>

National Diet Library

Subject Headingスピン偏極電子スピンバルブトンネル効果交換バイアス磁界反強磁性層デユアルスピンバルブ Si下地層不揮発性メモリー

半導体基板上におけるエピタキシャル強磁性体超薄膜の形成とその応用

Paper図書

田中雅明, 東京大学1995-1997<Y151-H07555412>

National Diet Library

Subject HeadingMnAs 分子線エピタキシー強磁性体/半導体多層構造 GaAs 不揮発性メモリスピンバルブ (111) 基板エピタキシヤル成長

強誘電体薄膜の諸機能の発現機構の解明と新デバイスへの展開

Paper図書

石橋, 善弘, 名古屋大学1997-1997<Y151-H09595001>

National Diet Library

Subject Heading強誘電体薄膜不揮発性メモリ膜疲労強誘電体人工格子リラクサ強誘電体ゾルゲル法レ...

極限環境動作を目指した強誘電体不揮発性メモリデバイスの開発

Digital文書・図像類

川江, 健, Kawae, Takeshi2011-05-20平成22(2010)年度科学研究費補助金若手研究(B) 研究成果報告書 = 2010 Fiscal Year Final Research Report2009-2010p.4p.-

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Subject Heading強誘電体不揮発性メモリ非鉛強誘電体ワイドギャップ半導体
Note (General)...環境動作を目指した新規強誘電体不揮発性メモリデバイスの実現を目指し、ワイド......極限環境動作を目指した強誘電体不揮発性メモリデバイスの開発」課題番号21760233（KAKEN：科学研...

ナノドットを電荷保持ノードとする薄膜トランジスタ型不揮発性メモリの研究

Digital博士論文

市川, 和典奈良先端科学技術大学院大学2008-03-24

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Subject Heading薄膜トランジスタナノドットフラッシュメモリ不揮発性メモリフェリチン

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