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界面組成変調層を用いたサブ0.1μm世代ULSI用低抵抗コンタクト構造の研究
界面組成変調層を用いたサブ0.1μm世代ULSI用低抵抗コンタクト構造の研究
紙
図書
安田, 幸夫
, 名古屋大学
2000-2002
<Y151-H12555005>
国立国会図書館
著者標目
安田, 幸夫
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
紙
図書
近藤博基, 安田幸夫, 名古屋大学 [著]
[近藤博基]
2001-2004
<Y151-H13305005>
国立国会図書館
著者標目
近藤, 博基
安田, 幸夫
名古屋大学
「光源」と「光の装置」の光技術用語解説 第3版
「光源」と「光の装置」の光技術用語解説 第3版
紙
図書
安田幸夫 [ほか] 編集
ウシオ電機株式会社ライトエッジ委員会
2014.5
全国の図書館
著者標目
安田, 幸夫
山崎, 健五 菱沼, 宣是 山本, 宏 松山, 成和
電子エネルギー損失分光法を用いた原子層CVDにおける反応メカニズムの研究
電子エネルギー損失分光法を用いた原子層CVDにおける反応メカニズムの研究
紙
図書
安田, 幸夫
, 名古屋大学
1996-1998
<Y151-H08455019>
国立国会図書館
著者標目
安田, 幸夫
次世代ULSI用超低抵抗コンタクト材料の開発
次世代ULSI用超低抵抗コンタクト材料の開発
紙
図書
安田, 幸夫
, 名古屋大学
1996-1998
<Y151-H08505001>
国立国会図書館
著者標目
安田, 幸夫
シリコンゲルマニウム量子井戸構造を用いた赤外発光素子の開発
シリコンゲルマニウム量子井戸構造を用いた赤外発光素子の開発
紙
図書
安田幸夫, 名古屋大学
1995-1996
<Y151-H06555005>
国立国会図書館
著者標目
安田, 幸夫
「光源」と「光の装置」の光技術用語解説 第3版
「光源」と「光の装置」の光技術用語解説 第3版
紙
図書
安田幸夫 ほか編 ; ウシオ電機株式会社ライトエッジ委員会 企画
ウシオ電機ライトエッジ委員会
2014.5
全国の図書館
電子エネルギー損失分光法を用いた薄膜成長機構に与える水素原子の役割に関する研究
電子エネルギー損失分光法を用いた薄膜成長機構に与える水素原子の役割に関する研究
紙
図書
安田, 幸夫
, 名古屋大学
1994-1995
<Y151-H06452119>
国立国会図書館
著者標目
安田, 幸夫
パルスレーザー飛行時間法を用いたシリコン擬1次元キヤリア系の量子輸送機構の研究
パルスレーザー飛行時間法を用いたシリコン擬1次元キヤリア系の量子輸送機構の研究
紙
図書
安田, 幸夫
, 名古屋大学
1992-1993
<Y151-H04452090>
国立国会図書館
著者標目
安田, 幸夫
時間分解振動励起分光法の開発と半導体薄膜成長素過程の研究
時間分解振動励起分光法の開発と半導体薄膜成長素過程の研究
紙
図書
安田, 幸夫
, 名古屋大学
1990-1991
<Y151-H02402022>
国立国会図書館
著者標目
安田, 幸夫
固相界面反応を伴うシリコンヘテロエピタキシヤル成長機構の解明
固相界面反応を伴うシリコンヘテロエピタキシヤル成長機構の解明
紙
図書
安田, 幸夫
, 名古屋大学
1988-1989
<Y151-S63460055>
国立国会図書館
著者標目
安田, 幸夫
機能性薄膜の形成技術の開発と応用
機能性薄膜の形成技術の開発と応用
紙
図書
安田, 幸夫
, 名古屋大学
1988-1989
<Y151-S63302021>
国立国会図書館
著者標目
安田, 幸夫
革新的なナノテクノロジー研究を日本の将来に生かすために (科学技術政策研究所講演録 ; 141)
革新的なナノテクノロジー研究を日本の将来に生かすために (科学技術政策研究所講演録 ; 141)
紙
図書
安田幸夫, 榊裕之, 森野明彦 [述]
文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター
2004.6
<M41-H32>
国立国会図書館
全国の図書館
著者標目
安田, 幸夫
, 1940- 榊, 裕之, 1944- 森野, 明彦
界面組成変調層を用いたサブ0.1μm世代ULSI用低抵抗コンタクト構造の研究
界面組成変調層を用いたサブ0.1μm世代ULSI用低抵抗コンタクト構造の研究
紙
図書
安田幸夫[ほか著]
[出版者不明]
2003.3
全国の図書館
著者標目
安田, 幸夫
Studies on the mechanism of pulse-mode optogalvanic effect on He Ⅰ (2[3]S-3[3]P) 388.9-nm by use of N[2]-laser-pumped dye laser
Studies on the mechanism of pulse-mode optogalvanic effect on He Ⅰ (2[3]S-3[3]P) 388.9-nm by use of N[2]-laser-pumped dye laser
紙
デジタル
博士論文
安田幸夫 [著]
<UT51-63-V188>
インターネットで読める
国立国会図書館
著者標目
安田, 幸夫
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
デジタル
文書・図像類
近藤, 博基,
安田, 幸夫
, 財満, 鎭明, 酒井, 朗, 池田, 浩也
2005-04
インターネットで読める
全国の図書館
著者標目
近藤, 博基
安田, 幸夫
財満, 鎭明 酒井, 朗 池田, 浩也
半導体デバイス工学 : デバイスの基礎から製作技術まで
半導体デバイス工学 : デバイスの基礎から製作技術まで
紙
図書
大山英典, 葉山清輝 著, 安田幸夫 校閲
森北出版
2004.3
<ND371-H53>
国立国会図書館
全国の図書館
著者標目
大山, 英典, 1957-2011 葉山, 清輝, 1966-
安田, 幸夫
, 1940-
非晶シリコン層で覆われたサファイア基板へのシリコンエピタキシャル成長機構の研究
非晶シリコン層で覆われたサファイア基板へのシリコンエピタキシャル成長機構の研究
紙
図書
安田幸夫, 豊橋技術科学大学
1984-1985
<Y151-S59460107>
国立国会図書館
著者標目
安田, 幸夫
極めて薄いSOS膜の開発とサブミクロンVLSIへの応用
極めて薄いSOS膜の開発とサブミクロンVLSIへの応用
紙
図書
安田, 幸夫
, 豊橋技術科学大学
1984-1985
<Y151-S59850050>
国立国会図書館
著者標目
安田, 幸夫
次世代ULSI用超低抵抗コンタクト材料の開発
次世代ULSI用超低抵抗コンタクト材料の開発
紙
図書
安田幸夫著
[出版者不明]
1999.3
全国の図書館
著者標目
安田, 幸夫
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