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シリコンナノエレクトロニクスの新展開に関する総括的研究
シリコンナノエレクトロニクスの新展開に関する総括的研究
紙
図書
財満鎭明, 名古屋大学 [著]
[財満鎭明]
2006-2009
<Y151-TR458-001>
国立国会図書館
著者標目
財満, 鎭明
名古屋大学
4族半導体極微細プロセスに向けた固相反応のダイナミクス制御とCエンジニアリング
4族半導体極微細プロセスに向けた固相反応のダイナミクス制御とCエンジニアリング
紙
図書
財満鎭明, 名古屋大学 [著]
[財満鎭明]
2003-2005
<Y151-H15206004>
国立国会図書館
著者標目
財満, 鎭明
名古屋大学
プロセスインテグレーション (半導体デバイスシリーズ ; 3)
プロセスインテグレーション (半導体デバイスシリーズ ; 3)
紙
図書
谷口研二, 鳥海明, 財満鎭明 編著, 大場隆之, 河崎尚夫, 綱島祥隆 著
丸善
2010.9
<ND386-J110>
国立国会図書館
全国の図書館
著者標目
谷口, 研二, 1948- 鳥海, 明
財満, 鎭明
大場, 隆之 河崎, 尚夫 綱島, 祥隆 権田, 俊一, ...
反応性エピタキシヤル成長によるCoSi2/Si(100)ヘテロ構造形成の研究
反応性エピタキシヤル成長によるCoSi2/Si(100)ヘテロ構造形成の研究
紙
図書
財満, 鎮明
, 名古屋大学
1999-2001
<Y151-H11450010>
国立国会図書館
著者標目
財満, 鎭明
シリコンナノエレクトロニクスの新展開 : ポストスケーリングテクノロジー
シリコンナノエレクトロニクスの新展開 : ポストスケーリングテクノロジー
紙
図書
財満鎭明 [著]
[出版者不明]
2011.3
全国の図書館
著者標目
財満, 鎭明
極薄ゲート酸化膜の原子層制御形成技術の開発
極薄ゲート酸化膜の原子層制御形成技術の開発
紙
図書
財満, 鎮明
, 名古屋大学
1997-1999
<Y151-H09555098>
国立国会図書館
著者標目
財満, 鎭明
名古屋大学
トンネル分光法を用いたシリサイド/シリコン界面の評価と水素終端効果の研究
トンネル分光法を用いたシリサイド/シリコン界面の評価と水素終端効果の研究
紙
図書
財満, 鎮明
, 名古屋大学
1995-1996
<Y151-H07455024>
国立国会図書館
著者標目
財満, 鎭明
名古屋大学
IV族半導体極微細プロセスに向けた固相反応のダイナミクス制御とCエンジニアリング
IV族半導体極微細プロセスに向けた固相反応のダイナミクス制御とCエンジニアリング
デジタル
文書・図像類
財満, 鎭明
2006-03
インターネットで読める
全国の図書館
著者標目
財満, 鎭明
IV族半導体極微細プロセスに向けた固相反応のダイナミクス制御とCエンジニアリング
IV族半導体極微細プロセスに向けた固相反応のダイナミクス制御とCエンジニアリング
紙
図書
財満鎭明 [ほか著]
[出版者不明]
2006.3
全国の図書館
著者標目
財満, 鎭明
エピタキシヤル成長の動的素過程の時間分解測定法の開発と反応種の表面泳動の研究
エピタキシヤル成長の動的素過程の時間分解測定法の開発と反応種の表面泳動の研究
紙
図書
財満, 鎭明
, 名古屋大学
1992-1993
<Y151-H04402017>
国立国会図書館
著者標目
財満, 鎭明
名古屋大学
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
デジタル
文書・図像類
近藤, 博基, 安田, 幸夫,
財満, 鎭明
, 酒井, 朗, 池田, 浩也
2005-04
インターネットで読める
全国の図書館
著者標目
近藤, 博基 安田, 幸夫
財満, 鎭明
酒井, 朗 池田, 浩也
反応性エピタキシャル成長によるCoSi2/Si(100)ヘテロ構造形成の研究
反応性エピタキシャル成長によるCoSi2/Si(100)ヘテロ構造形成の研究
紙
図書
財満鎭明[ほか著]
[出版者不明]
2002.3
全国の図書館
著者標目
財満, 鎭明
極薄ゲート酸化膜の原子層制御形成技術の開発
極薄ゲート酸化膜の原子層制御形成技術の開発
紙
図書
財満鎭明 [著]
[出版者不明]
2000.3
全国の図書館
著者標目
財満, 鎭明
LSI配線技術の発展 :ADMETA20年を振り返って/ADMETA記念誌編集委員会 編
LSI配線技術の発展 :ADMETA20年を振り返って/ADMETA記念誌編集委員会 編
紙
図書
2009.[2]
全国の図書館
著者標目
ADMETA記念誌編集委員会 新宮原, 正三
財満, 鎭明
源河, 茂 辻村, 学 大場, 隆之 近藤, 英一
高輝度電子放出材料の研究
高輝度電子放出材料の研究
紙
博士論文
財満鎭明 [著]
<UT51-57-F247>
国立国会図書館
著者標目
財満, 鎭明
トンネル分光法を用いたシリサイド/シリコン界面の評価と水素終端効果の研究
トンネル分光法を用いたシリサイド/シリコン界面の評価と水素終端効果の研究
紙
図書
財満鎭明[ほか著]
[出版者不明]
1997.3
全国の図書館
著者標目
財満, 鎭明
岩野, 博隆
エピタキシャル成長の動的素過程の時間分解測定法の開発と反応種の表面泳動の研究
エピタキシャル成長の動的素過程の時間分解測定法の開発と反応種の表面泳動の研究
紙
図書
財満鎭明[ほか著]
[出版者不明]
1994.3
全国の図書館
著者標目
財満, 鎭明
Journal of the Vacuum Society of Japan
Journal of the Vacuum Society of Japan
紙
雑誌
日本真空協会
2008-2017
<Z16-474>
国立国会図書館
全国の図書館
高輝度電子放出材料の研究
高輝度電子放出材料の研究
デジタル
文書・図像類
財満, 鎮明
1981
869
全国の図書館
著者標目
財満, 鎮明
中部圏研究 : 調査季報
中部圏研究 : 調査季報
紙
雑誌
中部産業・地域活性化センター
2009-
<Z3-1941>
国立国会図書館
全国の図書館
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