前川, 透, 福田, 尚宏, 松本, 聡, 足立, 聡, 依田, 真一, 木下, 恭一, Maekawa, Toru, Fukuda, Takahiro, Matsumoto, Satoshi, Adachi, Satoshi, Yoda, Shinichi, Kinoshita, Kyoichi宇宙開発事業団2003-08-29宇宙開発事業団技術報告: 化合物半導体研究アニュアルレポート2002:混晶半導体(InGaAs)の結晶育成に及ぼす微小重力の効果に関する研究.均一組成結晶の育成 = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystalsp.27-37
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- 件名...GaAs 地球重力 数値解析 TLZ法 過冷却 crystal growth binary sem...
木下, 恭一, 緒方, 康行, 越川, 尚清, 足立, 聡, 岩井, 正行, 鶴, 哲也, 村松, 祐治, 杉木, 喜洋, 前川, 透, 依田, 真一, Kinoshita, Kyoichi, Ogata, Yasuyuki, Koshikawa, Naokiyo, Adachi, Satoshi, Iwai, Masayuki, Tsuru, Tetsuya, Muramatsu, Yuji, Sugiki, Yoshihiro, Maekawa, Toru, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団2003-08-29宇宙開発事業団技術報告: 化合物半導体研究アニュアルレポート2002:混晶半導体(InGaAs)の結晶育成に及ぼす微小重力の効果に関する研究.均一組成結晶の育成 = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystalsp.19-26
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- 件名結晶成長 TLZ法 In(x)Ga(1-x)As 過冷却 凍結 温度勾配 対流...
鶴, 哲也, 岩井, 正行, 村松, 祐治, 木下, 恭一, 緒方, 康行, 足立, 聡, 越川, 尚清, 依田, 真一, Tsuru, Tetsuya, Iwai, Masayuki, Muramatsu, Yuji, Kinoshita, Kyoichi, Ogata, Yasuyuki, Adachi, Satoshi, Koshikawa, Naokiyo, Yoda, Shinichi宇宙開発事業団2003-08-29宇宙開発事業団技術報告: 化合物半導体研究アニュアルレポート2002:混晶半導体(InGaAs)の結晶育成に及ぼす微小重力の効果に関する研究.均一組成結晶の育成 = NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystalsp.11-18
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- 件名TLZ法 結晶成長 In(x)Ga(1-x)As 温度勾配 濃度 均...
- 並列タイトル等(連結)飽和溶融帯移動法(TLZ法)による均質なIn(x)Ga(1-x)As結晶成長の証明
- 並列タイトル等飽和溶融帯移動法(TLZ法)による均質なIn(x)Ga(1-x)As結晶成長の証明
宇宙開発事業団, National Space Development Agency of Japan宇宙開発事業団2003-08-29宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandum
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- 件名TLZ法 結晶成長 In(x)Ga(1-x)As 温度勾配 濃度 過...
住友電気工業, Sumitomo Electric Industries Ltd.宇宙航空研究開発機構2004-03-25宇宙航空研究開発機構契約報告 = JAXA Contract ReportJAXA-CR-03-002E
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- 件名結晶成長 InGaAs 単結晶 TLZ法 ラマン散乱 温度勾配 指向性凝固 急冷 crystal g...
- 一般注記...00mmである。これらの試料をTLZ法による成長実験に使用した。2)TLZ法による結晶成長実験条件の検討は......を実施した。その結果に基づいてTLZ法による成長実験を実施した。単結晶化は実現していないが得られた...