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検索結果 25 件

CdZnTeSe四元合金における励起子のダイナミクス

CdZnTeSe四元合金における励起子のダイナミクス
紙図書
今井, 和明, 北海道工業大学1996-1997<Y151-H08650021>
国立国会図書館
  • 件名II-VI族半導体 ZnSe 励起子 界面準位

新規な界面反応・界面化合物を用いる半導体デバイス

新規な界面反応・界面化合物を用いる半導体デバイス
紙図書
小林, 光, 大阪大学1999-2001<Y151-H11355003>
国立国会図書館
  • 件名界面準位 欠陥準位 シアン処理 MOS SiO2 リーク電流 Si-...

SOI構造における酸化メカニズムの解明に関する研究

SOI構造における酸化メカニズムの解明に関する研究
紙図書
平本, 俊郎, 東京大学1996-1997<Y151-H08455161>
国立国会図書館
  • 件名SOI 界面準位 MOSFET チヤージポンピング 酸化 酸化膜界面

AlGaN/GaNヘテロ構造のゲートリーク電流抑制とMBE成長膜の極性制御

AlGaN/GaNヘテロ構造のゲートリーク電流抑制とMBE成長膜の極性制御
紙図書
澤田孝幸, 北海道工業大学 [著][澤田孝幸]2005-2006<Y151-H17560013>
国立国会図書館
  • 件名AlGaN/GaNヘテロ構造 / ショットキーダイオード / ゲートリーク電流 / HEMTデバイス / MBE成長 / I-V特性 / MIS構造 / 界面準位密度

固体進行波モードおよび静磁波モードを用いた高い機能集積度を有するMMICの製作

固体進行波モードおよび静磁波モードを用いた高い機能集積度を有するMMICの製作
紙図書
赤澤, 正道, 北海道大学1992-1993<Y151-H04805028>
国立国会図書館
  • 件名固体進行波素子 GaAs InGaAs InP 界面準位 MIS構造

高Bi組成GaAsBiの成長とレーザダイオードへの応用

高Bi組成GaAsBiの成長とレーザダイオードへの応用
デジタル博士論文障害者向け資料あり
冬木, 琢真2014-03-25
国立国会図書館
  • 件名MBE 分子線エピタキシー III-V族半導体半金属混晶 GaAsBi LD レーザ 発振波長 光通信 界面準位 温度無依存 特性温度 WDM
  • 一般注記...GaAs1-xBix/GaAs界面準位が、GaAs1-xBix/Ga......をヘテロ界面間に導入することで界面準位密度の半減に成功し、バンドアライメント決定への足掛かりを掴ん...

異種原子導入によるSiC/絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新 : 平成24年度実績報告書

異種原子導入によるSiC/絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新 : 平成24年度実績報告書
デジタル文書・図像類
矢野, 裕司奈良先端科学技術大学院大学2013
インターネットで読める全国の図書館
  • 件名炭化珪素 界面準位

表面制御された超高効率InGaAs/InP太陽電池の研究

表面制御された超高効率InGaAs/InP太陽電池の研究
紙図書
斉藤, 俊也, 北海道大学1994-1996<Y151-H06650345>
国立国会図書館
  • 件名表面再結合速度 フオトルミネセンス 界面準位密度 太陽電池 InGaAs InAlAs InAsドツト

GaN系半導体界面の制御と電界効果トランジスタの試作に関する研究

GaN系半導体界面の制御と電界効果トランジスタの試作に関する研究
紙図書
澤田, 孝幸, 北海道工業大学2000-2001<Y151-H12650320>
国立国会図書館
  • 件名GaN シヨツトキーダイオード MISダイオード 界面特性 電流-電圧特性 シヨツトキー障壁高さ 表面フエルミ準位 界面準位密度

異種原子導入によるSiC/絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新 : 平成23年度実績報告書

異種原子導入によるSiC/絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新 : 平成23年度実績報告書
デジタル文書・図像類
矢野, 裕司奈良先端科学技術大学院大学2012
インターネットで読める全国の図書館
  • 件名炭化珪素 界面準位

高温動作型半導体デバイスのための酸化物半導体接合の設計

高温動作型半導体デバイスのための酸化物半導体接合の設計
紙図書
柳田, 博明, 東京大学1994-1995<Y151-H06453076>
国立国会図書館
  • 件名ヘテロ接合 酸化銅 酸化亜鉛 整流性 固溶体 等温過渡容量法 (ICTS) 界面準位 触媒

金属/GaNおよび絶縁膜/GaN界面の制御とMIS形電界効果トランジスタの試作

金属/GaNおよび絶縁膜/GaN界面の制御とMIS形電界効果トランジスタの試作
紙図書
澤田, 孝幸, 北海道工業大学1998-1999<Y151-H10650316>
国立国会図書館
  • 件名GaN シヨツトキーダイオード MISダイオード 界面準位密度 シヨツトキー障壁高 I-V特性 C-V特性 フエルミ準...

強誘電体/導電体界面現象の解析・制御とメモリ素子への応用

強誘電体/導電体界面現象の解析・制御とメモリ素子への応用
紙図書
清水, 勝, 姫路工業大学1995-1996<Y151-H07650374>
国立国会図書館
  • 件名IrO2セラミツクターゲツト MOCVD法 Pb (Zr, Ti) O3薄膜 バリア層 SIMS DLTS法 C-V測定 界面準位

間接遷移型半導体による発光の研究

間接遷移型半導体による発光の研究
紙図書
佐々木, 昭夫, 京都大学1993-1994<Y151-H05302034>
国立国会図書館
  • 件名間接遷移型半導体 超格子 発光 不規則 ブリルアン領域 界面準位 量子効果 局在準位

3-5族半導体量子構造の表面準位の制御とその光デバイスへの応用

3-5族半導体量子構造の表面準位の制御とその光デバイスへの応用
紙図書
長谷川英機, 北海道大学1995-1997<Y151-H07455017>
国立国会図書館
  • 件名量子細線 量子井戸 化合物半導体 界面制御 表面・界面準位 表面不活性化 シリコン界面制御層 フオトルミネセンス

化合物半導体量子構造の量子準位と表面・界面準位の相互作用とその制御の研究

化合物半導体量子構造の量子準位と表面・界面準位の相互作用とその制御の研究
紙図書
長谷川, 英機, 北海道大学1993-1995<Y151-H05452181>
国立国会図書館
  • 件名量子構造 化合物半導体 表面・界面準位 界面制御層 量子井戸 フオトルミネセンス 表面不活性化

超臨界水を活用したGaNパワー素子の高信頼性化技術 : 平成30年度実績報告書

超臨界水を活用したGaNパワー素子の高信頼性化技術 : 平成30年度実績報告書
デジタル文書・図像類
浦岡, 行治奈良先端科学技術大学院大学2019
インターネットで読める全国の図書館
  • 件名パワーデバイス 窒化ガリウム 超臨界水 高圧水蒸気処理 界面準位 ゲート絶縁膜

超高真空非接触・非破壊容量-電圧測定システムの開発

超高真空非接触・非破壊容量-電圧測定システムの開発
紙図書
長谷川, 英機, 北海道大学1996-1998<Y151-H08555072>
国立国会図書館
  • 件名非接触・C-V 超高真空一貫システム 表面・界面準位 表面プロセス フエルミ準位ピンニング 水素終端シリコン表面...

高感度光電子収率分光による極めて薄い酸化膜/シリコン界面の欠陥密度定量評価

高感度光電子収率分光による極めて薄い酸化膜/シリコン界面の欠陥密度定量評価
紙図書
宮崎, 誠一, 広島大学1996-1997<Y151-H08455147>
国立国会図書館
  • 件名極薄SiO2/Si界面 光電子収率分光法 フエルミ準位 表面準位密度 価電子帯状態密度 光電子脱出深さ 界面準位密度 水素終端Si処理

界面制御されたInGaAsを用いた高空間分解能撮像デバイスの試作

界面制御されたInGaAsを用いた高空間分解能撮像デバイスの試作
紙図書
長谷川, 英機, 北海道大学1991-1993<Y151-H03555056>
国立国会図書館
  • 件名電荷転送撮像素子 InGaAs 界面 MIS 界面制御 界面準位 MIS形電界効果トランジスタ 分子線エピタキシー
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