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検索結果 28 件

超薄高誘電率ゲート絶縁膜におけるシリコンとの界面制御の研究

超薄高誘電率ゲート絶縁膜におけるシリコンとの界面制御の研究
紙図書
鳥海明, 東京大学 [著][鳥海明]2001-2005<Y151-H13852009>
国立国会図書館

高誘電率絶縁薄膜中の欠陥の研究

高誘電率絶縁薄膜中の欠陥の研究
紙図書
廣瀬和之, 宇宙航空研究開発機構 [著][廣瀬和之]2003-2005<Y151-H15560025>
国立国会図書館

酸化物ナノアーキテクチャーの光学的ハーモニー

酸化物ナノアーキテクチャーの光学的ハーモニー
紙図書
斎藤秀俊, 長岡技術科学大学 [著][斎藤秀俊]2004-2006<Y151-H16206068>
国立国会図書館
  • 件名ナノアーキテクチャー / 酸化物 / カソ-ドルミネッセンス / SEM / ZnO / ZnO2 / HfO2 / ウイスカー

次世代MOSFETゲ-ト用高誘電率材料の系統的探索と物性制御

次世代MOSFETゲ-ト用高誘電率材料の系統的探索と物性制御
紙図書
徳光, 永輔, 東北大学2000-2002<Y151-H12450121>
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次世代極薄高誘電率ゲート絶縁膜中の不純物の挙動に関する理論的研究

次世代極薄高誘電率ゲート絶縁膜中の不純物の挙動に関する理論的研究
紙図書
白石賢二, 筑波大学 [著][白石賢二]2004-2005<Y151-H16560020>
国立国会図書館

Raw data files for Fig. 7 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"

Raw data files for Fig. 7 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"
デジタルその他
2018
インターネットで読める全国の図書館
  • 件名Auger depth profiling analysis HfO2/Si Ultra low angle incidence ...
  • 関連情報Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Lo...

Raw data files for Fig. 6 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"

Raw data files for Fig. 6 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"
デジタルその他
OGIWARA, Toshiya, NAGATA, Takahiro, YOSHIKAWA, Hideki2018
インターネットで読める全国の図書館
  • 件名Auger depth profiling analysis HfO2/Si Ultra low angle incidence ...
  • 関連情報...ng Analysis of HfO2/Si Specimen Us......ng Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Lo...

Raw data files for Fig. 12 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"

Raw data files for Fig. 12 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"
デジタルその他
2018
インターネットで読める全国の図書館
  • 件名Auger depth profiling analysis HfO2/Si Ultra low angle incidence ...
  • 関連情報...ng Analysis of HfO2/Si Specimen Us......ng Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Lo...

Raw data files for Fig. 10 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"

Raw data files for Fig. 10 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"
デジタルその他
2018
インターネットで読める全国の図書館
  • 件名Auger depth profiling analysis HfO2/Si Ultra low angle incidence ...
  • 関連情報...ng Analysis of HfO2/Si Specimen Us......ng Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Lo...

Raw data files for Fig. 11 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"

Raw data files for Fig. 11 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"
デジタルその他
OGIWARA, Toshiya, NAGATA, Takahiro, YOSHIKAWA, Hideki2018
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  • 件名Auger depth profiling analysis HfO2/Si Ultra low angle incidence ...
  • 関連情報...ng Analysis of HfO2/Si Specimen Us......ng Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Lo...

Raw data files for Fig. 8 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"

Raw data files for Fig. 8 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"
デジタルその他
2018
インターネットで読める全国の図書館
  • 件名Auger depth profiling analysis HfO2/Si Ultra low angle incidence ...
  • 関連情報Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Lo...

Raw data files for Fig. 9 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"

Raw data files for Fig. 9 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"
デジタルその他
OGIWARA, Toshiya, NAGATA, Takahiro, YOSHIKAWA, Hideki2018
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  • 件名Auger depth profiling analysis HfO2/Si Ultra low angle incidence ...
  • 関連情報...ng Analysis of HfO2/Si Specimen Us......ng Analysis of HfO2/Si Specimen Us......ng Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Lo...

Raw data files for Fig. 5 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"

Raw data files for Fig. 5 Auger depth profiles in "Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam"
デジタルその他
OGIWARA, Toshiya, NAGATA, Takahiro, YOSHIKAWA, Hideki2018
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  • 件名Auger depth profiling analysis HfO2/Si Ultra low angle incidence ...
  • 関連情報...ng Analysis of HfO2/Si Specimen Us......ng Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Lo...

高分解能RBS/ERDAにおける深さ方向分析の高度化に関する研究

高分解能RBS/ERDAにおける深さ方向分析の高度化に関する研究
デジタル博士論文
笹川, 薫京都大学 (Kyoto University)2013-03-25
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  • 件名高分解能 RBS 高分解能 ERDA 多重散乱 ホウ素 HfO2

ミストCVD法による準安定相強誘電体酸化物の薄膜形成技術に関する研究

ミストCVD法による準安定相強誘電体酸化物の薄膜形成技術に関する研究
デジタル博士論文
田原, 大祐2020-03-25
インターネットで読める全国の図書館
  • 要約等...そして、第6章では、強誘電体相HfO2薄膜の作製について述べる。最後......て注目を集めている強誘電体相のHfO2薄膜の作製と評価について述べる......シタ構造での強誘電相ノンドープHfO2薄膜のP-Eヒステリシスループ......ており、アニール処理なし条件のHfO2薄膜の微結晶構造は、低酸化状態によって生じる酸素空孔の存在や...
  • 件名酸化ガリウム Ga2O3 準安定相 エピタキシャル成長 薄膜 ミストCVD 強誘電体 結晶成長 酸化物 酸化ハフニウム HfO2 混晶化 バンドギャップエンジニアリング

単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明

単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
デジタル図書
近藤, 博基, 安田, 幸夫, 財満, 鎭明, 酒井, 朗, 池田, 浩也2005-04
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ミストCVD法による準安定相強誘電体酸化物の薄膜形成技術に関する研究

ミストCVD法による準安定相強誘電体酸化物の薄膜形成技術に関する研究
デジタル博士論文障害者向け資料あり
田原, 大祐2020-03-25
国立国会図書館
  • 要約等...そして、第6章では、強誘電体相HfO2薄膜の作製について述べる。最後......て注目を集めている強誘電体相のHfO2薄膜の作製と評価について述べる......シタ構造での強誘電相ノンドープHfO2薄膜のP-Eヒステリシスループ......ており、アニール処理なし条件のHfO2薄膜の微結晶構造は、低酸化状態によって生じる酸素空孔の存在や...
  • 件名酸化ガリウム Ga2O3 準安定相 エピタキシャル成長 薄膜 ミストCVD 強誘電体 結晶成長 酸化物 酸化ハフニウム HfO2 混晶化 バンドギャップエンジニアリング

Ab-initio phonon calculation for HfO2 / Pca2_1 (29) / materials id 685097

Ab-initio phonon calculation for HfO2 / Pca2_1 (29) / materials id 685097
デジタルその他
Atsushi TogoNIMS
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  • 要約等...alculation for HfO2 / Pca2_1 (29) Phonon band str...
  • 件名Phonon HfO2 Pca2_1 (29)

Ab-initio phonon calculation for HfO2 / Pbcn (60) / materials id 776097

Ab-initio phonon calculation for HfO2 / Pbcn (60) / materials id 776097
デジタルその他
Atsushi TogoNIMS
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  • 要約等...alculation for HfO2 / Pbcn (60) Phonon band struc...
  • 件名Phonon HfO2 Pbcn (60)

First-principles lattice thermal conductivity calculation for HfO2 / P4_2/mnm (136) / materials id 776532

First-principles lattice thermal conductivity calculation for HfO2 / P4_2/mnm (136) / materials id 776532
デジタルその他
Atsushi TogoNIMS
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  • 件名Lattice thermal conductivity HfO2
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