検索結果 18 件
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国立国会図書館
- 件名3C-SiC / 立方晶SiC / ヘテロエピタキシャル成長 / 横方向成長 / 単結晶薄膜成長 / シリコンカーバイト...
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- 件名シリコン基板 インジウム アンチモン 表面再構成構造 交互吸着 インジウムアンチモン ヘテロエピタキシヤル成長 吸着率
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- 件名ラングミユア吸着・反応 IV族半導体 極微細デバイス 原子層成長 表面処理 原子層エツチング 水素終端 低温ヘテロエピタキシヤル成長
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- 件名ジルコン酸チタン酸鉛 シリコン 強誘電体 イツトリア安定化ジルコニア 反応性スパツタリング ヘテロエピタキシヤル成長 強誘電体メモリ
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- 件名ダイヤモンド ヘテロエピタキシヤル成長 MESFET MOSFET 耐環境電子デバイス 論理回路 ...
デジタル規格・テクニカルリポート類
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- 件名半導体量子ドット形成 ヘテロエピタキシャル成長 ぬれ層表面構造 ひずみ緩和 格子不整合転位 成長様式 計算...
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- 件名透過電子回折法 反射高速電子回折法 オージエ電子分光法 表面構造 Patterson関数 ヘテロエピタキシヤル成長 成長様式
デジタル博士論文
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- 要約等...板上に,高品質なInSb薄膜をヘテロエピタキシャル成長させることを目的として研究を行......大きく異なり,完全にInSbがヘテロエピタキシャル成長した。 また,膜の表面性は蒸着......果,Ge基板上にInSb薄膜をヘテロエピタキシャル成長させることができることが分かり......Sb薄膜はGe基板上と同様に,ヘテロエピタキシャル成長した。 この場合もInリッチの......とが分かった。 しかし,完全にヘテロエピタキシャル成長しているにもかかわらず,移動度......,表面平坦性に優れ,ほぼ完全にヘテロエピタキシャル成長したInSb薄膜が得られた。
- 件名Si(001) InSb薄膜 ヘテロエピタキシャル成長 Ge/Si(001) Ge(001) InSb(004) ...